类型：N沟道 MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：40A
　　最大漏源电压（VDS）：200V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω（最大）
　　栅极电荷（Qg）：120nC
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

SK40295R6 功率MOSFET具备多项优异特性，使其在高功率应用中表现出色。首先，其低导通电阻（Rds(on)）为0.045Ω，可显著降低导通损耗，提高电源转换效率。该器件的最大漏极电流为40A，漏源电压高达200V，具备较强的电流承载能力和高压耐受能力。
　　此外，SK40295R6 的栅极电荷（Qg）为120nC，属于中等水平，适用于高频开关应用，有助于减少开关损耗。器件的热稳定性良好，工作温度范围广泛（-55°C ~ +150°C），适合在复杂环境条件下运行。
　　采用TO-220封装形式，不仅便于安装和散热，还能有效提升整体系统的可靠性和稳定性。TO-220封装通常具备良好的电气隔离性能，适合工业级应用需求。
　　SK40295R6 还具备快速开关响应能力，使其在开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、负载开关和电机控制等应用中表现出色。其结构设计也使其具备一定的抗雪崩击穿能力，提高了器件的耐用性。

SK40295R6 常用于需要高效功率转换和高电压耐受能力的电子设备中。典型应用包括开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、不间断电源（UPS）、电机驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。由于其高耐压和大电流能力，该MOSFET也适用于LED照明驱动、电源适配器和家用电器的功率控制模块。
　　在电动汽车和新能源系统中，SK40295R6 可用于车载充电器、能量回收系统和逆变器等关键部件。其高可靠性和优良的热性能使其成为工业级和汽车级应用的理想选择。

IRF1405, FDP24N20, STP40NF20