RF15N0R4A500CT 是一款由 Vishay 生产的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件属于 SiHF15N04 系列,采用 TO-263 (DPAK) 封装形式。其设计主要针对高频开关和低导通电阻应用,适用于多种工业、通信及消费电子领域。
RF15N0R4A500CT 的核心特点是低导通电阻 (RDS(on)) 和高开关速度,这使得它非常适合需要高效功率转换的应用场景。
最大漏源电压:40V
连续漏极电流:19.9A
导通电阻:4mΩ
栅极电荷:28nC
总功耗:18W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
RF15N0R4A500CT 具有非常低的导通电阻,能够在高频条件下提供高效的功率传输,同时减少发热问题。其 4mΩ 的典型导通电阻保证了较低的传导损耗,这对于电源管理应用尤为重要。此外,该器件具备较高的漏源电压和较大的连续漏极电流,能够满足高功率需求的应用场景。
该 MOSFET 还具有快速开关性能,这得益于其较低的栅极电荷。这使得 RF15N0R4A500CT 在高频电路中表现出色,如 DC-DC 转换器和电机驱动等应用。此外,它还支持宽泛的工作温度范围,从 -55℃ 到 +175℃,使其适用于极端环境条件下的操作。
RF15N0R4A500CT 广泛应用于需要高效功率转换和低损耗的场景中。具体应用包括但不限于以下:
- 开关电源 (SMPS)
- DC-DC 转换器
- 电机驱动
- 电池管理系统 (BMS)
- 工业自动化控制
- 通信设备中的功率级模块
由于其高效率和低热耗散的特点,这款 MOSFET 在要求高性能和高可靠性的系统中表现优异。
RF15N0R4A500CL, RF15N0R4A500CU