MJE5555是一款NPN型高频晶体管,常用于射频(RF)和中频(IF)放大器应用中。该晶体管设计用于在高频环境下提供优异的性能,具有良好的增益和低噪声特性。MJE5555广泛应用于通信设备、无线系统和测试仪器等领域。
晶体管类型:NPN
最大集电极电流(IC):300 mA
最大集电极-发射极电压(VCE):40 V
最大集电极-基极电压(VCB):50 V
最大功耗(PD):1.5 W
工作温度范围:-65°C至+200°C
增益带宽积(fT):100 MHz
封装类型:TO-226(也称为TO-226AA或TO-92)
MJE5555具有多项优异的电气特性,使其在高频应用中表现出色。其NPN结构提供了良好的电流放大能力,并且能够在高频下保持稳定的性能。该晶体管的低噪声特性使其非常适合用于前置放大器和信号增强电路中。
此外,MJE5555的最大集电极电流为300 mA,能够支持中等功率的放大应用。其集电极-发射极和集电极-基极电压额定值较高,能够适应较宽范围的工作电压,提高了器件的可靠性。
该晶体管采用TO-226封装,具有良好的热稳定性和机械强度,适用于各种工业和通信环境。MJE5555的工作温度范围宽,能够在极端环境下稳定工作,适用于高温或低温应用场景。
值得一提的是,MJE5555的增益带宽积达到100 MHz,使其在射频和中频放大电路中表现优异,能够有效放大高频信号并保持较低的失真度。
MJE5555主要用于射频(RF)和中频(IF)放大器电路中,适用于无线通信系统、广播接收器、测试测量设备以及各种高频电子设备。由于其低噪声和高增益特性,MJE5555也常被用于前置放大器、信号增强器和功率放大器电路中。
此外,该晶体管还可用于音频放大器、振荡器、混频器以及各种模拟信号处理电路中。其高可靠性和宽工作温度范围使其适用于工业控制、汽车电子和航空航天等苛刻环境下的电子系统。
MJE5551, MJE5553, BFQ68, 2N5109