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SK10GD126ET 发布时间 时间:2025/8/23 14:59:13 查看 阅读:6

SK10GD126ET 是一款由 SEMIKRON(西门康)生产的功率电子元器件,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。IGBT模块是一种结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT(双极型晶体管)低导通压降优点的功率半导体器件,广泛用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。SK10GD126ET 采用紧凑型封装设计,适用于多种工业应用。

参数

类型:IGBT模块
  最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
  最大集电极电流(Ic):10A
  工作温度范围:-40°C 至 +150°C
  封装类型:TO-247
  导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值)
  输入电容(Cies):约1200pF
  短路耐受能力:有
  最大功耗:约100W

特性

SK10GD126ET IGBT模块具有良好的导通特性和开关特性,适用于高电压和高电流的应用环境。该模块采用了先进的芯片技术,使其在高温条件下仍能保持稳定的工作性能。此外,SK10GD126ET具有较强的短路耐受能力,能够在突发短路情况下保护器件免受损坏。
  该模块的封装设计考虑了散热性能和机械强度,确保了器件在恶劣工作环境下的长期可靠性。同时,该模块还具有较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于减少系统中的噪声干扰,提高整体系统的电磁兼容性(EMC)性能。
  在实际应用中,SK10GD126ET通常用于逆变器、变频器、不间断电源(UPS)、工业电机驱动、电焊机等电力电子设备中。由于其高性能和高可靠性,该模块在工业自动化、新能源发电、电动汽车等领域中具有广泛的应用前景。

应用

SK10GD126ET 主要应用于电力电子变换器、变频器、不间断电源(UPS)、电动车辆驱动系统、太阳能逆变器、工业自动化设备、电焊机和电机控制等场景。

替代型号

SK10GD123AG、SK10GD12NAG、FGA10N120ANTD

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SK10GD126ET参数

  • 晶体管极性:?频道
  • 饱和电压, Vce sat 最大:2.1V
  • 功耗, Pd:2kW
  • 电压, Vceo:1.2kV
  • 封装类型:SEMITOP 3
  • SVHC(高度关注物质):No SVHC (18-Jun-2012)
  • SMD标号:SEMITOP3
  • 上升时间:30ns
  • 功率, Pd:2kW
  • 外宽:55mm
  • 外部深度:31mm
  • 安装孔中心距:52.5mm
  • 安装孔直径:2mm
  • 封装类型:SEMITOP 3
  • 晶体管数:6
  • 最大连续电流, Ic:15A
  • 温度 @ 电流测量:25°C
  • 电压:1.2kV
  • 电压, Vces:1.2kV
  • 电流, Icm 脉冲:30A
  • 表面安装器件:螺丝
  • 集电极电流, Ic 平均值:15A
  • 集电极连续电流, Ic 最大值:11A