SK10GD126ET 是一款由 SEMIKRON(西门康)生产的功率电子元器件,属于IGBT(绝缘栅双极型晶体管)模块系列。IGBT模块是一种结合了MOSFET的高输入阻抗和BJT(双极型晶体管)低导通压降优点的功率半导体器件,广泛用于需要高效能、高可靠性的电力电子系统中。SK10GD126ET 采用紧凑型封装设计,适用于多种工业应用。
类型:IGBT模块
最大集电极-发射极电压(Vce):1200V
最大集电极电流(Ic):10A
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
封装类型:TO-247
导通压降(Vce_sat):约2.1V(典型值)
输入电容(Cies):约1200pF
短路耐受能力:有
最大功耗:约100W
SK10GD126ET IGBT模块具有良好的导通特性和开关特性,适用于高电压和高电流的应用环境。该模块采用了先进的芯片技术,使其在高温条件下仍能保持稳定的工作性能。此外,SK10GD126ET具有较强的短路耐受能力,能够在突发短路情况下保护器件免受损坏。
该模块的封装设计考虑了散热性能和机械强度,确保了器件在恶劣工作环境下的长期可靠性。同时,该模块还具有较低的电磁干扰(EMI)特性,有助于减少系统中的噪声干扰,提高整体系统的电磁兼容性(EMC)性能。
在实际应用中,SK10GD126ET通常用于逆变器、变频器、不间断电源(UPS)、工业电机驱动、电焊机等电力电子设备中。由于其高性能和高可靠性,该模块在工业自动化、新能源发电、电动汽车等领域中具有广泛的应用前景。
SK10GD126ET 主要应用于电力电子变换器、变频器、不间断电源(UPS)、电动车辆驱动系统、太阳能逆变器、工业自动化设备、电焊机和电机控制等场景。
SK10GD123AG、SK10GD12NAG、FGA10N120ANTD