时间：2025/6/5 11:51:31
阅读：7
FM21X562K251PXG是一款高性能的串行铁电随机存取存储器(FRAM)，由富士通（Fujitsu）生产。FRAM是一种非易失性存储技术，结合了RAM的高速读写特性和闪存的非易失性特性。这款芯片具有低功耗、高耐久性和快速写入的优点，适用于需要频繁数据记录和实时数据保存的应用场景。
该器件采用SOIC-8封装形式，工作电压范围为1.8V至3.6V，支持I2C接口协议。其容量为32Kbit，组织方式为4096x8位，并且内置了唯一的序列号功能，便于设备识别与追踪。
容量：32Kbit
组织形式：4096x8
接口：I2C
工作电压：1.8V~3.6V
工作温度：-40℃~+85℃
封装形式：SOIC-8
数据保持时间：超过10年
擦写次数：超过10^12次
FM21X562K251PXG的主要特性包括：
1. 非易失性存储：即使在断电情况下，数据也能保持完整，无需额外的电池支持。
2. 超低功耗：写入操作无需等待时间，能耗显著低于EEPROM或闪存。
3. 高速写入：写入速度非常快，不需要额外的写周期时间。
4. 极高的耐用性：支持超过1万亿次（10^12）的擦写循环，非常适合高频数据记录应用。
5. 内置唯一序列号：每颗芯片都有一个全球唯一的序列号，方便进行设备管理和认证。
6. 宽工作电压范围：支持1.8V到3.6V的工作电压，适应多种供电环境。
由于其卓越的性能特点，FM21X562K251PXG被广泛应用于以下领域：
1. 工业自动化：用于传感器节点的数据日志记录和配置存储。
2. 医疗设备：如血糖仪、心率监测器等需要可靠数据存储的便携式医疗设备。
3. 消费电子：如智能手表、健身追踪器等对低功耗和快速响应有要求的设备。
4. 物联网(IoT)：用作边缘设备中的小型存储单元，支持频繁的数据采集和存储。
5. 计量仪表：例如智能电表、水表等需要长期稳定记录数据的场景。
MB85RS32MY-GNE, CAT24C32
