MRF373S 时间：2025/9/3 16:33:24 阅读：33

MRF373S 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）制造的射频（RF）功率晶体管，属于LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）技术类别。该晶体管主要用于高频通信设备中的射频功率放大器应用，尤其是在广播、无线基础设施和工业应用中。MRF373S 设计用于在88 MHz至108 MHz的频率范围内工作，适用于调频（FM）广播发射机等设备。该器件具有高增益、高效率和高可靠性的特点，适合于连续波（CW）和脉冲操作。

参数

类型：射频功率晶体管
　　技术：LDMOS
　　封装类型：金属封装
　　工作频率范围：88 MHz - 108 MHz
　　输出功率：约375 W（在FM广播频段）
　　增益：典型值26 dB
　　效率：典型值65%
　　工作电压：50 V
　　输入阻抗：50Ω
　　存储温度范围：-65°C 至 +150°C
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　最大结温：+200°C

特性

MRF373S 具有多个显著的性能特点，使其成为射频功率放大器应用的理想选择。首先，它基于LDMOS技术制造，提供了高功率密度和良好的线性度，这对于广播应用中保持信号的完整性至关重要。其次，MRF373S 在88 MHz至108 MHz的频率范围内提供高达375 W的输出功率，满足了FM广播发射机对高功率输出的需求。此外，该晶体管具有较高的增益（典型值为26 dB），减少了对前级放大器的要求，简化了系统设计。效率方面，MRF373S 的典型效率为65%，这有助于降低功耗并减少散热需求，从而提高系统的整体能效。该器件的工作电压为50 V，具有良好的热稳定性和长期可靠性，能够在恶劣的环境条件下正常运行。MRF373S 采用金属封装，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合高功率射频应用。此外，其输入阻抗为50Ω，与大多数射频系统匹配良好，减少了额外的匹配电路需求。MRF373S 还具有良好的抗失真能力和高可靠性，适合长时间连续运行的应用场景，如广播发射机和工业设备。

应用

MRF373S 主要用于需要高功率射频放大的应用场景，尤其是在FM广播发射机中。由于其在88 MHz至108 MHz频段内的高效性能，MRF373S 被广泛应用于地面广播系统，作为主功率放大器使用。此外，该器件也适用于其他射频功率放大器应用，如工业、科学和医疗（ISM）设备、通信基础设施、测试设备和射频能量应用。在这些应用中，MRF373S 提供了稳定的高功率输出和优异的效率，确保系统的高性能和可靠性。