时间：2025/9/11 5:10:48
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CGHV27100F/P是一款由Cree（现为Wolfspeed）生产的高功率射频横向扩散金属氧化物半导体（LDMOS）晶体管，设计用于高频、高功率的射频放大器应用。该晶体管工作频率范围较宽，适用于27MHz至100MHz的频段，具备高输出功率、高增益和良好的热稳定性。其封装采用坚固的陶瓷/金属封装技术，以确保在恶劣工作环境下的稳定性和可靠性。CGHV27100F/P广泛应用于广播、工业加热、射频测试设备以及医疗射频设备等领域。
工作频率：27-100 MHz
输出功率：典型值100W
漏极电压：最大25V
栅极电压：最大-10V至+25V
漏极电流：最大连续1.5A
工作温度范围：-65°C至+150°C
存储温度范围：-65°C至+150°C
CGHV27100F/P具有多项优异的电气和热性能特性。首先，它采用LDMOS技术，使得该器件在高频率下具有出色的功率放大能力，同时保持较低的互调失真和良好的线性度。其次，该晶体管在宽频率范围内（27MHz至100MHz）都能保持高效工作，适用于多频段或多用途设计。
此外，CGHV27100F/P具有良好的热管理能力，其封装结构优化了散热性能，确保在高功率输出下仍能保持稳定运行。该器件还具备高可靠性和长寿命，适合工业级和军事级应用要求。
在操作方面，CGHV27100F/P具有较低的输入驻波比（VSWR），简化了输入匹配电路的设计。同时，其高增益特性减少了对前级放大器的要求，有助于简化整体系统设计。最后，该晶体管具有良好的抗过载能力，能在一定程度上承受负载失配的情况，提高了系统的鲁棒性。
CGHV27100F/P主要用于中高功率射频放大器系统。典型应用包括AM/FM广播发射机、工业射频加热设备、等离子体发生器、射频测试仪器、医疗射频治疗设备以及各种需要中高功率放大的通信系统。由于其工作频率范围较宽且输出功率较高，该器件也常用于科研实验和工程开发中的高频功率放大环节。
CGHV27100F、CGHV27100、BLF177
