时间：2025/8/1 16:44:46
阅读：43
SJDD10N65A是一款N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），由东微半导体（Topsemi）生产。该器件主要用于电源转换、开关电源（SMPS）、马达控制、DC-DC转换器等高功率应用场合。该MOSFET采用先进的沟槽技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高耐压（650V）和大电流承载能力（10A）等特点，适合用于高效能电源系统设计。
类型：N沟道MOSFET
漏极电流（ID）：10A
漏源电压（VDS）：650V
栅源电压（VGS）：±20V
RDS(on)：典型值为0.75Ω（最大值0.9Ω）
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-252（DPAK）或类似表面贴装封装
SJDD10N65A的主要特性包括其高耐压和低导通电阻的组合，这使得它在高电压应用中能够实现较低的导通损耗，提高系统效率。同时，该器件采用了优化的沟槽式MOSFET结构，增强了开关性能，降低了开关损耗。此外，它具有良好的热稳定性，能够在较高的工作温度下保持稳定性能。该MOSFET还具备较高的雪崩能量承受能力，有助于提高系统的可靠性和耐用性。其封装设计有助于良好的散热性能，适用于中高功率密度设计。此外，该器件的栅极驱动要求较低，兼容常见的驱动电路，简化了电路设计。
SJDD10N65A广泛应用于各种电力电子系统，如开关电源（SMPS）、AC-DC适配器、DC-DC转换器、LED驱动器、马达控制电路、电池管理系统以及工业自动化设备中的功率开关模块。此外，该器件也适用于需要高效率和高可靠性的消费类电子产品和工业设备。
FQP10N65C, STF10N65M5, IPP10N65CFXKSA1, SiHP010N65CFD
