时间：2025/5/23 7:16:28
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FV31X682K102ECG 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于高效率电源管理领域。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，广泛用于 DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用中。
其封装形式和电气性能使其在紧凑型设计中表现优异，同时能够满足多种工业和消费类电子设备的需求。
型号：FV31X682K102ECG
类型：N-Channel MOSFET
Vds（漏源电压）：60V
Rds(on)（导通电阻）：2.5mΩ（典型值，Vgs=10V）
Id（连续漏极电流）：100A
Qg（栅极电荷）：45nC
EAS（雪崩能量）：1.5J
封装：TO-247-3
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
FV31X682K102ECG 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少导通损耗并提升系统效率。
2. 快速开关能力，可降低开关损耗，适合高频操作环境。
3. 高电流处理能力，支持高达 100A 的连续漏极电流。
4. 优化的热性能设计，确保在高温环境下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 提供出色的雪崩耐量，增强器件在异常条件下的鲁棒性。
该芯片适用于以下应用场景：
1. 工业级 DC-DC 转换器和开关模式电源 (SMPS)。
2. 大功率电机驱动和逆变器控制。
3. 电动车电池管理系统中的负载切换。
4. 高效负载开关和保护电路。
5. 太阳能逆变器及储能系统的功率转换模块。
6. 各种需要高性能功率开关的应用场景。
FV31X682K102ECB, IRF7843, AO3400A
