时间：2025/9/14 7:12:54
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PMN20ENAX 是一款由 STMicroelectronics 生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于高效率电源管理和功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术和优化的芯片设计，以提供更低的导通电阻（RDS(on)）和更高的电流承载能力。PMN20ENAX 通常封装在 DPAK（TO-252）或类似的表面贴装封装中，使其适用于各种紧凑型电子设备。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：200 V
栅源电压（VGS）：±20 V
漏极电流（ID）：9 A（连续）
导通电阻 RDS(on)：0.23 Ω @ VGS = 10 V
功耗（PD）：125 W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：DPAK（TO-252AD）
PMN20ENAX MOSFET 具备多项优异的电气特性，适用于中高功率应用。首先，其最大漏源电压为 200V，使其能够承受较高的电压应力，适用于 AC/DC 转换器、电机控制和电源开关等场合。其次，该器件的最大连续漏极电流为 9A，在适当的散热条件下可维持稳定工作，满足高电流负载需求。
导通电阻 RDS(on) 为 0.23Ω（在 VGS = 10V 时），有助于降低导通损耗，提高系统效率。此外，该器件具有较低的栅极电荷（Qg），使得在高频开关应用中能够减少驱动损耗，提升整体性能。
PMN20ENAX 的封装形式为 DPAK（TO-252AD），具备良好的热管理和机械稳定性，适合表面贴装工艺，广泛应用于工业控制、电源适配器、电池管理系统（BMS）和电机驱动器等场景。该器件还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，能够在恶劣的电气环境中保持可靠运行。
综上所述，PMN20ENAX 是一款性能稳定、可靠性高、适用于多种功率电子应用的 N 沟道 MOSFET，特别适合对效率和散热有较高要求的设计。
PMN20ENAX 主要应用于各种功率电子系统中，例如 DC/DC 转换器、AC/DC 电源适配器、电池管理系统（BMS）、电机驱动器以及工业控制设备。此外，它还可用于电源开关、负载开关、逆变器和 LED 照明驱动电路中。由于其具备较高的漏源电压和良好的导通特性，该器件在需要高效能和高可靠性的场合表现出色。
IPD20N20C3, FQA9N20C, STP9NK60Z, FDPF20N20
