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IRFR3412PBF 发布时间 时间:2025/7/4 4:20:21 查看 阅读:8

IRFR3412PBF 是一款由英飞凌(Infineon)生产的 N 沣道场效应晶体管(N-Channel MOSFET)。这款 MOSFET 采用 PowerPAK SO-8 封装,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于多种功率转换应用。该器件的额定电压为 30V,适合用于需要高效能、低功耗的电路设计中。
  由于其出色的性能和可靠性,IRFR3412PBF 在工业控制、消费电子以及通信设备等领域有着广泛的应用。

参数

最大漏源电压:30V
  连续漏极电流:17A
  导通电阻:1.9mΩ
  栅极电荷:16nC
  开关时间:典型值开启 15ns,关断 9ns
  工作结温范围:-55°C 至 +150°C

特性

IRFR3412PBF 具有以下主要特性:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高效率。
  2. 高速开关能力,适合高频应用。
  3. 小型封装设计,节省 PCB 空间。
  4. 出色的热性能,能够有效管理散热问题。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  这些特性使得 IRFR3412PBF 成为驱动电机、DC-DC 转换器和负载开关等应用的理想选择。

应用

IRFR3412PBF 的典型应用包括但不限于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. DC-DC 转换器的高端和低端开关。
  3. 电机驱动电路中的功率级元件。
  4. 计算机及外设中的负载开关。
  5. 电池管理系统中的保护开关。
  凭借其高性能指标和可靠性,IRFR3412PBF 在上述应用中表现出色。

替代型号

IRFR3412Z, FDP3412N

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IRFR3412PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C48A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C25 毫欧 @ 29A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)5.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs89nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds3430pF @ 25V
  • 功率 - 最大140W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装D-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFR3412PBF