类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30 V
　　栅源电压（VGS）：20 V
　　连续漏极电流（ID）：85 A
　　导通电阻（RDS(on)）：3.3 mΩ @ VGS = 10 V
　　功率耗散（PD）：125 W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：PowerPAK SO-8

SISH85-330 MOSFET 具有多个显著的电气和热性能优势。其低导通电阻（RDS(on)）为 3.3 mΩ，在高电流条件下能够显著降低功率损耗，提高系统效率。该器件的连续漏极电流能力高达 85 A，适合高功率密度应用。此外，其最大漏源电压为 30 V，能够在多种低压功率转换应用中稳定工作。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提高了导通性能并降低了开关损耗。其 8 引脚 PowerPAK SO-8 封装不仅具有优异的热管理能力，还支持表面贴装工艺，提高了 PCB 的布局灵活性和制造效率。此外，该器件的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适用于各种严苛环境条件下的应用。
　　为了提高系统的可靠性和稳定性，SISH85-330 具有高雪崩能量耐受能力，能够在瞬态过电压条件下提供额外的保护。其栅极驱动电压范围为 4.5 V 至 20 V，支持标准逻辑电平驱动，便于与多种控制器和驱动器配合使用。这种灵活性使得该器件在各种功率管理应用中具有广泛的适用性。

SISH85-330 广泛应用于多种电力电子系统中，特别是在需要高效能和高可靠性的场合。例如，它常用于 DC-DC 转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器和电池管理系统。在这些应用中，SISH85-330 的低导通电阻和高电流处理能力可以显著提高系统的效率和稳定性。此外，由于其良好的热性能和紧凑的封装设计，它也非常适合用于空间受限的高功率密度应用，如笔记本电脑电源适配器、服务器电源系统以及汽车电子系统。

SiS840DN
　　IRLHS85-330