时间：2025/8/18 14:26:06
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CXK581000M-70L是一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片，通常用于需要快速数据访问的高性能电子设备中。该型号的存储容量为1Mbit，采用高速CMOS技术，具有低功耗和高可靠性的特点。适用于工业控制、通信设备、计算机外设等应用场景。
容量：1Mbit
组织结构：128K x 8
电源电压：3.3V或5V兼容
访问时间：70ns
工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
封装类型：TSOP
输入/输出接口：三态CMOS
CXK581000M-70L采用先进的CMOS制造工艺，确保了低功耗运行和高抗干扰能力。其高速访问时间为70ns，适用于对数据读写速度有较高要求的应用场景。该芯片具有宽工作温度范围，适用于工业环境下的稳定运行。此外，其三态输出控制功能可有效避免总线冲突，提高系统稳定性。
在封装方面，TSOP封装形式不仅节省空间，还提升了散热性能，适合高密度电路板设计。该芯片还具备自动省电模式，在不进行数据访问时可降低功耗，延长设备使用时间。
该芯片广泛应用于工业控制设备、网络通信模块、嵌入式系统、测试仪器以及高性能消费电子产品中，作为高速缓存或临时数据存储使用。
CY62148EV30LL-70BZE3、IS61LV25616-10B4B、AS7C34098A-10TCN
