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SIS438DN-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/26 21:05:38 查看 阅读:15

SIS438DN-T1-GE3 是一款由 SiT(Silicon Labs)生产的高性能 MEMS 振荡器,主要应用于对频率稳定性、低抖动和可靠性能要求较高的系统中。这款振荡器基于微机电系统(MEMS)技术制造,具有卓越的抗振动和抗冲击能力,相较于传统的石英晶体振荡器更加稳定且体积更小。
  该型号支持工业级工作温度范围,能够提供多种输出信号格式(如 CMOS 和 LVPECL),并具备可编程频率功能,方便用户根据实际需求灵活配置。

参数

频率:2.3MHz~230MHz
  电源电压:1.8V, 2.5V, 或 3.3V
  负载电容:无需外部负载电容
  封装类型:3.2 x 2.5 mm DFN 封装
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  相位抖动:典型值 0.8 ps RMS
  上升/下降时间:约 1 ns
  启动时间:小于 1 ms

特性

SIS438DN-T1-GE3 的核心优势在于其采用了先进的 MEMS 技术,这使得它在多个方面优于传统晶体振荡器:
  1. 高度可靠的抗振动和抗冲击能力,适合恶劣环境下的应用;
  2. 提供极低的相位抖动,确保信号完整性;
  3. 支持宽范围频率选择,并可以通过软件进行精确调整;
  4. 工业级别的温度范围适应性使其适用于各种苛刻条件下的设备;
  5. 小型化设计简化了 PCB 布局并节省空间;
  6. 内置完整的振荡电路,减少对外部元件的需求,从而提高整体可靠性。

应用

由于其出色的性能,SIS438DN-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 网络通信设备,例如路由器、交换机等需要高精度时钟源的产品;
  2. 数据存储系统,包括硬盘驱动器控制器和 RAID 子系统;
  3. 工业自动化控制装置,如 PLC、DCS 等;
  4. 医疗电子仪器,例如超声波设备和其他诊断工具;
  5. 汽车电子系统中的导航模块与信息娱乐单元;
  6. 军事及航天领域中的雷达系统、卫星通讯终端等。

替代型号

SIS438DN-T1-GM3, SIOSP438DN-T1-GE3

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SIS438DN-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)20V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C16A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C9.5 毫欧 @ 10A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs23nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds880pF @ 10V
  • 功率 - 最大27.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? 1212-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? 1212-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIS438DN-T1-GE3-NDSIS438DN-T1-GE3TR