ELLXT971ABE.A4是一款由EPC(Efficient Power Conversion)公司推出的增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),型号为EPC2053。该器件集成了驱动器和功率FET,适用于高频率、高效率的电源转换应用。其封装形式为四方扁平无引线封装(QFN),具有低导通电阻、低开关损耗和优异的热性能,适用于DC-DC转换器、负载点电源(POL)、无线充电、激光雷达(LiDAR)和包络跟踪等应用。
类型:增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET)
漏源电压(VDS):100V
连续漏极电流(ID):30A
导通电阻(RDS(on)):8.5mΩ
栅极电荷(QG):10.5nC
输入电容(CISS):1050pF
封装类型:QFN(5mm x 6mm)
工作温度范围:-55°C至150°C
集成驱动器:是
开关频率:高达5MHz
热阻(RθJC):1.8°C/W
EPC2053具有多项高性能特性,使其在高频功率转换应用中表现出色。首先,它采用氮化镓(GaN)半导体技术,具备宽禁带特性,能够实现更高的击穿电压和更低的导通损耗。由于其增强型(常关)结构设计,该器件在栅极电压为零时处于关闭状态,提高了系统的安全性。集成驱动器的设计减少了外部驱动电路的需求,简化了PCB布局并提高了整体可靠性。此外,EPC2053的低导通电阻(RDS(on))和低栅极电荷(QG)使其在高频开关条件下具有较低的传导和开关损耗,从而提高了能效。其封装形式为5mm x 6mm的QFN封装,具备优异的热管理能力,能够有效地将热量散发出去,确保在高功率密度应用中的稳定运行。EPC2053还具备良好的抗干扰能力,适用于高频开关电源和高精度控制系统。
EPC2053广泛应用于需要高频率、高效率功率转换的各类电子系统中。其典型应用包括高频DC-DC转换器、负载点电源(POL)、同步整流器、无线充电系统、激光雷达(LiDAR)驱动电路、包络跟踪电源、电机驱动器以及高密度电源模块等。在电信和数据中心电源系统中,该器件可用于提高转换效率和功率密度。此外,其优异的开关性能也使其适用于高频逆变器、太阳能微型逆变器以及电池管理系统(BMS)等应用。由于其集成驱动器的设计,EPC2053还可用于简化电源转换器的设计,提高系统集成度和稳定性。
EPC2051, EPC2052, EPC2045, EPC2034, TI GaN FET LMG3410R050