时间：2025/6/19 6:45:57
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OR-3H5-TP-G 是一款基于 GaN（氮化镓）技术的高效率功率开关器件，主要用于高频开关电源、DC-DC 转换器和逆变器等应用。该器件采用了增强型 GaN FET 技术，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，能够显著提高系统的功率密度和转换效率。
这款芯片封装为 TO-263-7（D2PAK-7L），支持顶部冷却设计，有助于改善散热性能。其内部集成了驱动电路和保护功能，简化了外围电路设计。
额定电压：650V
额定电流：15A
导通电阻：150mΩ
栅极电荷：80nC
输入电容：1500pF
反向恢复时间：无（GaN 器件无反向恢复问题）
工作温度范围：-40℃ 至 +150℃
OR-3H5-TP-G 的主要特性包括：
1. 采用先进的 GaN 技术，提供更低的导通电阻和更高的开关频率，适合高频应用。
2. 集成的驱动和保护功能减少了外部元件数量，从而降低了系统复杂度。
3. 支持顶部冷却设计，便于在高功率密度场景中实现更高效的热管理。
4. 极低的栅极电荷和输入电容，使得驱动损耗降到最低。
5. 具有优异的热稳定性和可靠性，可承受极端的工作条件。
6. 小型化的封装设计，节省 PCB 空间，满足现代电子设备对小型化的要求。
OR-3H5-TP-G 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC 转换器
3. 电动汽车充电桩
4. 太阳能逆变器
5. 工业电机驱动
6. 消费类快充适配器
这些应用充分利用了 OR-3H5-TP-G 的高效能和高频特性，以实现更紧凑的设计和更高的效率。
OR-3H5-LP-G, IRG4PH07KD, FDP16N06E
