BAS16WT/R 是一款由Nexperia(原恩智浦半导体的一部分)生产的表面贴装高速开关二极管。该器件基于硅材料制造,适用于高频和快速开关应用。BAS16WT/R采用SOT-23(TO-236)小型封装,适用于自动贴片和回流焊工艺,广泛用于通信、消费电子、工业控制等领域。该二极管具有低正向压降、快速恢复时间以及良好的热稳定性等特点,是许多通用开关应用的理想选择。
类型:硅高速开关二极管
最大正向电流(IF):100 mA
最大反向电压(VR):75 V
正向压降(VF):1 V @ 10 mA
反向漏电流(IR):100 nA @ 75 V
工作温度范围:-55°C 至 +150°C
储存温度范围:-65°C 至 +150°C
封装形式:SOT-23(TO-236)
BAS16WT/R是一款具有优异性能的高速开关二极管,其核心特性体现在快速恢复时间与低正向压降。该器件的恢复时间(trr)通常小于4 ns,这使其在高频电路中能够高效工作,降低开关损耗并提升整体系统效率。正向压降在10 mA电流下约为1 V,保证了在低功耗设计中的优势。此外,该器件具备良好的热稳定性和机械耐久性,能够在恶劣环境下保持稳定运行。
BAS16WT/R的SOT-23封装体积小巧,便于在高密度PCB设计中使用,同时支持全自动贴片工艺,提高生产效率。该二极管还具有较高的可靠性,符合RoHS环保标准,适合无铅焊接工艺。
从电气特性来看,BAS16WT/R的最大连续正向电流为100 mA,最大反向电压为75 V,满足大多数通用开关电路的需求。反向漏电流在75 V下仅为100 nA,保证了器件在高压应用中的稳定性与效率。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车电子等对温度要求较高的场合。
BAS16WT/R因其高速开关特性和紧凑的封装形式,被广泛应用于多个领域。在通信设备中,它常用于射频(RF)信号路径中的开关、调制解调器以及数据传输电路。在消费电子产品中,如智能手机、平板电脑和可穿戴设备,该器件可用于电源管理、信号切换以及ESD保护电路。
在工业控制系统中,BAS16WT/R可用于传感器信号调理、高速采样电路以及PLC(可编程逻辑控制器)中的隔离和切换功能。由于其良好的热稳定性和宽工作温度范围,该器件也适用于汽车电子系统,例如车载信息娱乐系统、车身控制模块以及电池管理系统。
此外,该二极管还可用于通用逻辑电路、电平转换器、反向电压保护电路以及各种需要快速开关响应的电子系统中。
BAS16, 1N4148WS, BAS70-05, 1N4148