类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：450 V
　　漏极电流（Id）：19 A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.23 Ω
　　栅极电荷（Qg）：34 nC
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TO-247

IXTH19N45 的主要特性之一是其低导通电阻，这有助于减少功率损耗并提高整体系统效率。该器件的漏源电压为 450 V，使其能够在中高功率应用中可靠运行。其 19 A 的漏极电流能力支持在高负载条件下稳定工作。
　　此外，IXTH19N45 的栅极电荷较低（34 nC），这有助于加快开关速度，从而降低开关损耗，提高能效。这种特性在高频开关应用中尤为重要，例如在现代开关电源（SMPS）中。
　　该器件的 TO-247 封装设计提供了良好的散热性能和机械稳定性，适用于需要高功率密度和可靠性的应用。IXTH19N45 还具有优异的雪崩能量耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的耐用性。
　　最后，该 MOSFET 的工作温度范围为 -55°C 至 150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业和汽车应用中的极端温度环境。

IXTH19N45 主要用于需要高效率和高可靠性的功率电子系统。常见应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、AC-DC 电源供应器、电机控制和驱动电路、电池管理系统（BMS）以及太阳能逆变器等可再生能源系统。此外，它还广泛用于工业自动化设备、不间断电源（UPS）和电焊机等高功率设备中。
　　在电机驱动应用中，IXTH19N45 提供了高效的功率开关能力，有助于提高电机控制系统的响应速度和能效。在电源转换器中，其低导通电阻和快速开关特性可以显著降低能量损耗，提高转换效率。
　　在新能源领域，例如太阳能逆变器，IXTH19N45 可用于高效地将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电以供家庭或电网使用。其高可靠性和耐高温能力使其成为户外和恶劣环境应用的理想选择。
　　由于其封装形式和电气性能，IXTH19N45 也适用于车载充电器、电动汽车（EV）充电系统和储能系统等新兴应用领域。

IXFH19N45, IRFPH45N20D, STP19N45CH5, FCP19N45