时间：2025/8/2 9:06:27
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SIS407DN-T1-GE3 是一款由 Vishay Semiconductors 生产的双 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术，提供低导通电阻（RDS(on)）和优异的热性能，适用于需要高效率和小尺寸封装的电源管理应用。SIS407DN-T1-GE3 采用 8 引脚 TSOP 封装，适合高频开关应用，广泛用于笔记本电脑、电源管理模块、DC-DC 转换器、负载开关和电池管理系统中。
类型：增强型 MOSFET
沟道类型：双 N 沟道
漏源电压 VDS：30V
栅源电压 VGS：±20V
连续漏极电流 ID（每个沟道）：7.4A
导通电阻 RDS(on)：22mΩ @ VGS=10V
导通电阻 RDS(on)：29mΩ @ VGS=4.5V
功率耗散：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装：8-TSOP
SIS407DN-T1-GE3 的核心特性之一是其极低的导通电阻，在 10V 栅极驱动下可低至 22mΩ，这显著降低了导通损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件在 4.5V 栅极驱动下的导通电阻为 29mΩ，使其适用于低电压控制系统，如电池供电设备和低压 DC-DC 转换器。
该 MOSFET 采用 Vishay 的沟槽技术制造，确保了优异的热性能和高电流承载能力。其双 N 沟道设计允许在一个封装内实现两个独立的 MOSFET 器件，节省了 PCB 空间并简化了电路设计。SIS407DN-T1-GE3 的最大连续漏极电流为 7.4A，适用于中高功率应用。
该器件的封装形式为 8-TSOP，具有良好的热管理和焊接可靠性，适合表面贴装工艺。SIS407DN-T1-GE3 的最大工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，适用于工业级和消费级应用环境。此外，该 MOSFET 具有较高的抗静电能力，增强了其在实际应用中的稳定性和耐用性。
在动态性能方面，SIS407DN-T1-GE3 具有较低的输入和输出电容，适合高频开关应用，减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。其栅极电荷（Qg）也较低，进一步优化了开关性能，使其适用于同步整流、负载开关和电机控制等场合。
SIS407DN-T1-GE3 广泛应用于多种电源管理系统和功率控制电路中。常见应用包括 DC-DC 转换器、负载开关、同步整流器、电机驱动、电池管理系统（BMS）以及笔记本电脑和移动设备中的电源管理模块。该器件的双 N 沟道结构使其非常适合用于 H 桥驱动电路和双向开关应用。此外，由于其低导通电阻和良好的热性能，SIS407DN-T1-GE3 也常用于高效率电源适配器、LED 驱动器和嵌入式系统中的功率开关控制。
Si3442CDV-T1-E3, NDS355AN, FDS6675CZ, IRF7413TRPBF
