类型：功率MOSFET
　　沟道类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：6.3A
　　导通电阻（Rds(on)）：0.021Ω @ Vgs=4.5V
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：SOT-223
　　安装类型：表面贴装

SIR91-21C/TR10(K) MOSFET的主要特性之一是其非常低的导通电阻，在4.5V的栅极驱动电压下仅为21毫欧。这种低Rds(on)特性使其在高电流应用中能够显著减少功率损耗，提高系统效率。此外，该器件具有快速的开关速度，适合高频操作，从而减少了开关损耗并提高了整体性能。
　　另一个重要特性是其高电流承载能力，在25°C环境温度下可提供高达6.3A的连续漏极电流。同时，该MOSFET的热阻较低，确保了良好的散热性能，使其能够在较高的工作温度下稳定运行。SOT-223封装不仅节省空间，还具备良好的热管理能力，非常适合紧凑型设计和高密度PCB布局。
　　此外，该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持4.5V至12V的驱动电压，便于与多种控制器或驱动器兼容。其内部结构优化了电容特性，降低了开关过程中的能量损耗，有助于提升系统效率。SIR91-21C/TR10(K) 还具有较高的耐用性和可靠性，适用于各种工业和消费类电子产品。

SIR91-21C/TR10(K) 主要应用于电源管理系统，包括同步整流、DC-DC转换器、负载开关以及电池管理系统等。其高效率和快速开关特性使其成为高性能电源设计的理想选择，尤其适用于笔记本电脑、平板电脑、移动设备和嵌入式系统中的电源调节模块。
　　在DC-DC转换器中，该MOSFET用于同步整流拓扑，以降低导通损耗并提高转换效率。在负载开关电路中，它能够有效地控制电源供应，实现快速开关并减少待机功耗。此外，该器件也广泛用于马达控制电路、LED驱动器和电池充电管理电路中，提供可靠的高电流切换能力。
　　由于其紧凑的SOT-223封装和优异的热性能，SIR91-21C/TR10(K) 也非常适合用于空间受限的便携式设备，如智能手机、无线路由器和小型电源适配器。在工业自动化系统中，它可用于控制继电器、传感器和执行器的电源管理，确保系统的高效运行。

Si9410BDY-T1-GE3, BSC016N04LS5AG, FDS6675, IRF7413PBF