类型：齐纳二极管（Zener Diode）
　　齐纳电压：5.1V
　　容差：±5%
　　最大耗散功率：200mW
　　封装形式：SOD-123（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　存储温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大反向电流（IR）：100nA（在额定电压下）
　　测试电流（IZT）：5mA

RD5.1M-T1B 5.1V 齐纳二极管具有多项优良的电气和物理特性。其核心优势在于电压稳定性高，齐纳电压精度达到 ±5%，确保在需要精密电压参考的电路中提供可靠的性能。该器件采用 ROHM 的先进半导体制造工艺，能够在宽温度范围内保持稳定的齐纳电压输出，适用于对温度变化敏感的应用场景。
　　此外，该器件的最大耗散功率为200mW，能够承受一定的功耗，适用于中低功率电路中的稳压和参考电压应用。SOD-123 封装体积小巧，适合高密度 PCB 设计，且具有良好的散热性能，能够在表面贴装工艺中实现高可靠性的焊接和安装。
　　其工作温度范围为 -55°C 至 +150°C，符合工业级温度标准，可在恶劣环境中稳定运行。存储温度范围同样宽广，确保器件在运输和存储过程中不易受损。最大反向漏电流（IR）控制在100nA以下，有助于降低电路中的静态功耗，提高整体能效。
　　测试电流为5mA，这使得 RD5.1M-T1B 在典型的齐纳工作条件下能够快速进入稳压状态，适用于需要快速响应的电源管理和保护电路。

RD5.1M-T1B 5.1V 齐纳二极管广泛应用于多个电子系统中，作为电压参考源用于 ADC/DAC 模块、电源监控电路、比较器和稳压电路中。在微控制器系统中，它可以作为复位电路或电压检测电路中的参考电压源，确保系统在电源电压低于设定值时能够正确复位。
　　此外，该器件也常用于过压保护电路中，通过将齐纳二极管与负载并联，可以在电压超过设定阈值时导通并分流，从而保护后级电路免受损坏。在开关电源、LED 驱动器和电池管理系统中，它也可用于提供稳定的参考电压，以确保系统工作的稳定性和可靠性。
　　由于其小型封装和良好的温度特性，RD5.1M-T1B 也非常适合用于便携式设备、消费电子产品、工业自动化设备以及汽车电子系统中的稳压和电压检测应用。

BZV55-C5V1, MMSZ5231B, 1N4733A