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IXFP72N30X3M 发布时间 时间:2025/8/5 21:12:41 查看 阅读:26

IXFP72N30X3M是一款由Infineon Technologies(英飞凌科技)制造的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件主要用于高功率应用,例如电源管理、马达控制、逆变器和电源转换系统。IXFP72N30X3M采用了先进的技术,确保在高电压和高电流条件下仍能保持良好的性能和可靠性。它具有低导通电阻、高开关速度和强大的热稳定性,适用于各种工业和汽车应用。

参数

类型:功率MOSFET
  漏源电压(Vds):300V
  连续漏极电流(Id):72A
  导通电阻(Rds(on)):0.042Ω(最大值)
  栅极电荷(Qg):145nC
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-247
  功率耗散(Pd):300W

特性

IXFP72N30X3M的特性之一是其低导通电阻(Rds(on)),这有助于减少导通损耗,提高系统的整体效率。该器件在高温条件下仍能保持稳定的工作性能,这是因为它采用了高效的热管理设计。此外,IXFP72N30X3M具有高耐压能力,能够承受高达300V的漏源电压,使其适用于高电压应用。
  该功率MOSFET还具有较高的开关速度,这有助于减少开关损耗,提高电源转换效率。在高频开关应用中,IXFP72N30X3M表现出色,能够有效减少电路中的电磁干扰(EMI)问题。此外,其栅极电荷(Qg)较低,使得驱动电路的设计更加简单,并减少了驱动损耗。
  IXFP72N30X3M的封装采用TO-247标准封装形式,便于散热并提高机械稳定性。这种封装方式也使得该器件易于安装在散热片上,从而进一步提高其热管理性能。由于其高可靠性和稳定性,IXFP72N30X3M被广泛用于汽车电子、工业电源、不间断电源(UPS)和可再生能源系统等领域。

应用

IXFP72N30X3M广泛应用于需要高功率处理能力的系统中。例如,在工业电源系统中,该器件可用于直流-直流(DC-DC)转换器、逆变器和电机驱动器。在汽车电子领域,IXFP72N30X3M常用于电动车辆的电池管理系统和车载充电器。此外,它还可用于可再生能源系统,例如太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换模块。
  在不间断电源(UPS)系统中,IXFP72N30X3M可用于实现高效的电源切换和能量存储管理。其高开关速度和低导通电阻使其成为高频开关应用的理想选择。在电机控制应用中,该器件能够提供稳定的电流输出,确保电机运行的平稳性和高效性。此外,IXFP72N30X3M还可用于工业自动化设备、电源适配器和高功率LED照明系统。

替代型号

IXFH72N30X3M, IXFN72N30X3M

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IXFP72N30X3M参数

  • 现有数量259现货
  • 价格1 : ¥80.77000管件
  • 系列HiPerFET?, Ultra X3
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)300 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)72A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)19 毫欧 @ 36A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)4.5V @ 1.5mA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)82 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)5400 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)36W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-220 隔离的标片
  • 封装/外壳TO-220-3 全封装,隔离接片