时间：2025/8/24 10:26:52
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SIR814DP 是一款由 Vishay Siliconix 推出的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的沟槽技术，能够提供高效的性能和高可靠性，适用于诸如 DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。SIR814DP 采用 8 引脚 DPAK（TO-252）封装，具备良好的热性能和空间利用率，适合高密度电路设计。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压 Vds：30V
栅源电压 Vgs：±20V
连续漏极电流 Id：4.1A
导通电阻 Rds(on)：35mΩ（典型值）
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：8 引脚 DPAK（TO-252）
SIR814DP 的沟槽式 MOSFET 设计提供了低导通电阻（Rds(on)）和优异的开关性能，有助于降低导通损耗和开关损耗，提高整体能效。
其 30V 的漏源电压额定值使其适用于低压功率应用，例如便携式设备的电源管理和负载开关控制。器件的最大连续漏极电流为 4.1A，能够支持中等功率负载的切换。
此外，SIR814DP 具备较强的热稳定性，在高负载条件下仍能保持良好的工作状态，确保系统稳定性和可靠性。
由于其 8 引脚 DPAK 封装设计，该器件在 PCB 上的安装简便，同时具备良好的散热性能，适用于空间受限的高密度电路设计。SIR814DP 还具有较低的栅极电荷（Qg），有助于提高开关速度并降低驱动损耗，特别适合高频开关应用。
这些特性使 SIR814DP 成为许多功率转换和管理应用中的理想选择。
SIR814DP 主要用于电源管理领域，包括同步整流器、DC-DC 转换器、负载开关、电池供电设备和电机控制电路等。
在电源转换器中，它可以用作主开关器件，提供高效的能量转换。
在负载开关应用中，它可以用于控制电池供电设备中的电源路径，实现低功耗和高效率。
此外，SIR814DP 也适用于工业自动化系统、电源适配器和低电压功率放大器等应用场景。
Si4410BDY-E3, IRF7404, AO4406A
