QMV554FT5 时间：2025/8/12 19:06:23 阅读：6

QMV554FT5 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），专为高效率电源管理应用而设计。这款器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、高开关速度和良好的热稳定性，适用于各类开关电源、DC-DC 转换器以及负载开关等应用场景。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：4.1A
　　最大漏源电压（VDS）：20V
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：28mΩ @ VGS=4.5V，56mΩ @ VGS=2.5V
　　功率耗散（PD）：2.6W
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装类型：TSOT23-6

特性

QMV554FT5 MOSFET 具备多项优异特性，使其在低电压、高频率开关应用中表现出色。其低导通电阻特性可以显著降低导通损耗，提高电源转换效率。在 VGS=4.5V 时 RDS(on) 为 28mΩ，在 VGS=2.5V 时为 56mΩ，这使得该器件可以在较低的栅极驱动电压下工作，适用于低功耗系统设计。
　　此外，该器件具有高开关速度，适用于高频开关应用，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提升系统整体效率。QMV554FT5 的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关过程中的能量损耗。
　　该 MOSFET 采用 TSOT23-6 封装，具有良好的热性能和空间利用率，适合在空间受限的便携式设备中使用。其工作温度范围宽达 -55°C 至 150°C，确保了在各种环境条件下都能稳定运行。
　　内置的栅极保护二极管增强了器件的抗静电能力，提高了可靠性。此外，该器件符合 RoHS 环保标准，不含铅和卤素，适用于绿色环保电子产品设计。

应用

QMV554FT5 广泛应用于多种电子设备和系统中，特别是在需要高效能、低功耗和小型封装的场合。典型应用包括同步整流器、DC-DC 降压/升压转换器、电池管理系统、负载开关、电机驱动器、LED 驱动电路以及便携式消费电子产品中的电源管理模块。
　　在电源管理系统中，QMV554FT5 可作为主开关器件用于高效能 DC-DC 转换器，实现高效率的能量转换。在电池供电设备中，它可用于负载开关以实现快速的电源切换和低静态电流。此外，该器件还可用于马达控制、LED 背光调节以及各种类型的功率开关应用。
　　由于其封装小巧、性能稳定，QMV554FT5 特别适合用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、可穿戴设备等空间受限的高性能设备中。