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BUZ64 发布时间 时间:2025/7/23 13:29:46 查看 阅读:6

BUZ64是一款由英飞凌(Infineon)公司生产的N沟道功率MOSFET,广泛应用于需要高效能和高可靠性的电源管理领域。该器件采用先进的技术制造,具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力等优点。BUZ64适用于多种应用场景,包括DC-DC转换器、电机控制、电源管理和电池充电系统等。该MOSFET封装形式为TO-220,便于散热和安装。

参数

类型:N沟道
  漏源电压(Vds):100V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):38A
  导通电阻(Rds(on)):最大40mΩ
  工作温度范围:-55°C至175°C

特性

BUZ64具备低导通电阻的特性,这使得其在高电流应用中能够显著降低功率损耗,提高整体系统效率。此外,该MOSFET具有高耐压能力,能够在较高的电压环境下稳定运行,从而增强了系统的可靠性和耐用性。BUZ64还具有优异的热稳定性,能够在高温条件下保持良好的性能,适用于需要长时间高负载工作的场景。其TO-220封装设计不仅便于安装,还能有效散热,防止因过热而导致的性能下降。此外,该器件的快速开关特性使其非常适合高频应用,有助于减小外围电路的体积和成本。

应用

BUZ64常用于多种功率电子设备中,如开关电源、DC-DC转换器、不间断电源(UPS)、电机驱动器以及电池管理系统。在汽车电子领域,BUZ64可用于车载充电器和电动助力转向系统等。在工业自动化控制系统中,该MOSFET可作为高效能开关,实现对电机、继电器和其他执行器的精确控制。此外,BUZ64还可用于太阳能逆变器和储能系统中,以提升能量转换效率。

替代型号

BUZ64可以使用BUZ64A、IRFZ44N、IRFZ48N、SiHH4N60E、SiHP04NQ03LT作为替代型号,但需根据具体电路设计和应用需求进行选择。

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