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SIR462DP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/5/22 1:06:09 查看 阅读:3

SIR462DP-T1-GE3 是一款由 Vishay 推出的 N 沣道整流二极管,采用小型表面贴装封装(DO-214AC,也称为 DPAK 封装)。该器件设计用于高频和高效率应用,具有超快恢复时间和低正向电压降的特点。其主要用途包括开关电源、DC-DC 转换器、逆变器以及电机驱动等功率转换领域。
  这款二极管通过优化芯片结构和封装技术,在提供高浪涌电流能力的同时,保持了较低的反向漏电流和出色的热性能。

参数

最大重复峰值反向电压:100V
  最大平均正向电流:8A
  最大浪涌电流:200A
  正向电压降(IF=8A):0.75V
  反向恢复时间:40ns
  工作结温范围:-55℃ 至 +175℃
  存储温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

SIR462DP-T1-GE3 采用了先进的硅芯片技术,具备以下显著特点:
  1. 极低的正向电压降 (VF),有助于减少导通损耗并提高系统效率。
  2. 超快的反向恢复时间 (trr),使其非常适合高频开关应用。
  3. 高额定电流和浪涌电流能力,能够承受瞬态冲击并确保可靠性。
  4. 宽工作温度范围,适合在恶劣环境下运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保无铅设计。
  6. 表面贴装封装形式,便于自动化生产和紧凑型设计。

应用

SIR462DP-T1-GE3 广泛应用于需要高效功率转换和快速切换的场景,具体包括:
  1. 开关电源(SMPS)中的整流和续流功能。
  2. DC-DC 转换器模块中的同步整流。
  3. 逆变器电路中的输出整流。
  4. 电机驱动电路中的续流保护。
  5. 太阳能逆变器及其他可再生能源系统的功率处理部分。
  6. 工业控制设备中的功率管理单元。

替代型号

SIR462DP
  SIR462DU
  SIR46DP

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SIR462DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列-
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C30A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C7.9 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)3V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs30nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1155pF @ 15V
  • 功率 - 最大41.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIR462DP-T1-GE3TR