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LTNP17P04KP 发布时间 时间:2025/9/5 23:57:40 查看 阅读:12

LTNP17P04KP 是一款由Littelfuse公司生产的P通道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于高边开关、负载开关和DC-DC转换器等应用。这款MOSFET设计用于在高电压和高电流条件下提供高效能,同时具备良好的热稳定性和可靠性。

参数

类型:P通道MOSFET
  漏源电压(Vds):-40V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-17A
  工作温度范围:-55°C至175°C
  封装类型:TO-220
  导通电阻(Rds(on)):42mΩ(最大值)
  阈值电压(Vgs(th)):-2V至-4V

特性

LTNP17P04KP具有低导通电阻,有助于降低导通状态下的功率损耗,提高系统效率。该器件的高栅极电压容限(±20V)使其适用于多种驱动条件,确保在各种应用中的稳定性。
  此外,LTNP17P04KP采用了先进的平面沟槽技术,提供了优良的热性能和高可靠性,能够在恶劣环境中稳定工作。其TO-220封装形式不仅便于安装,而且具有良好的散热能力,适合高功率应用。
  该MOSFET还具备快速开关特性,能够减少开关损耗并提高整体系统性能。它还具有良好的短路保护能力和过热保护特性,确保在异常工作条件下的器件安全。

应用

LTNP17P04KP广泛应用于多种电力电子系统中,如高边负载开关、电源管理模块、DC-DC转换器、电机控制器和电池供电设备。它特别适合需要高可靠性和高效率的汽车电子系统,如车载充电器和电源管理系统。
  在工业控制领域,LTNP17P04KP可用于自动化设备中的电源开关和负载控制,确保高效、稳定的运行。同时,它也适用于消费类电子产品,如笔记本电脑和电源适配器,提供可靠的功率控制解决方案。
  由于其出色的性能和可靠性,LTNP17P04KP也常用于通信设备中的电源管理和转换系统,确保设备在高负载条件下的稳定运行。

替代型号

Si4435DY, IRF9Z34N, FQP17P04

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