时间：2025/8/12 8:58:17
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MSM8226-00-MT-1 是一款由 Avago Technologies（安华高）推出的 GaAs（砷化镓）单刀双掷（SPDT）射频开关芯片，广泛应用于无线通信系统中，支持高频信号的切换功能。这款芯片设计紧凑，性能稳定，适合用于基站、无线基础设施以及测试设备等射频系统中。
工作频率：50 MHz 至 3 GHz
插入损耗：典型值 0.4 dB（频率范围内）
隔离度：典型值 35 dB @ 1 GHz
输入功率：最大 30 dBm
VSWR：典型值 1.3:1
供电电压：5V
控制电压：0V 至 5V（兼容 CMOS/TTL）
封装类型：QFN（6x6 mm）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
MSM8226-00-MT-1 的核心特性包括低插入损耗和高隔离度，这使得它在射频信号切换应用中能够保持信号的完整性和系统的稳定性。该器件采用 GaAs 技术，具备优异的高频性能和耐用性，适用于多种无线通信标准，包括 GSM、WCDMA、LTE 等。
此外，MSM8226-00-MT-1 采用小型 QFN 封装，占用空间小，适合高密度电路板设计。其控制电压兼容 CMOS/TTL 电平，简化了与数字控制电路的接口。该芯片还具备良好的线性度和低失真特性，适用于高要求的射频前端模块。
由于其出色的性能，MSM8226-00-MT-1 被广泛用于基站、中继器、射频测试设备、工业控制系统和消费类无线设备中。
MSM8226-00-MT-1 主要应用于无线通信系统中的射频信号路径切换，如基站收发信机、射频测试仪器、无线接入点、中继器、频谱分析仪等设备。此外，它也可用于多频段移动设备中的天线切换或射频前端模块的路径控制。
HMC649ALP3C, PE42641, SKY13371-21-1, AS133S-7
