SIR422DP是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-263-2封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。由于其低导通电阻和高效率的特点,SIR422DP在各种功率管理场景下表现优异。
最大漏源电压:60V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:15A
导通电阻:18mΩ
总耗散功率(Tc=25°C):170W
工作结温范围:-55°C至+150°C
SIR422DP是一款专为高效功率转换设计的MOSFET,具有以下特点:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗。
2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
4. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。
5. 封装形式稳固耐用,适合自动化生产和恶劣环境应用。
SIR422DP适用于多种功率转换和控制领域,典型应用包括:
1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
3. 电机驱动电路中的功率级开关。
4. 各种负载切换和保护电路。
5. 工业自动化设备中的功率管理模块。
IRLZ44N
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