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SIR422DP 发布时间 时间:2025/5/22 1:15:04 查看 阅读:5

SIR422DP是来自Infineon(英飞凌)的一款N沟道增强型MOSFET晶体管,采用TO-263-2封装形式。该器件广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等应用中。由于其低导通电阻和高效率的特点,SIR422DP在各种功率管理场景下表现优异。

参数

最大漏源电压:60V
  最大栅源电压:±20V
  连续漏极电流:15A
  导通电阻:18mΩ
  总耗散功率(Tc=25°C):170W
  工作结温范围:-55°C至+150°C

特性

SIR422DP是一款专为高效功率转换设计的MOSFET,具有以下特点:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够在高电流应用中减少功耗。
  2. 高雪崩能量能力,增强了器件在异常情况下的鲁棒性。
  3. 快速开关速度,有助于降低开关损耗并提高系统效率。
  4. 符合RoHS标准,环保且满足现代电子产品的合规要求。
  5. 封装形式稳固耐用,适合自动化生产和恶劣环境应用。

应用

SIR422DP适用于多种功率转换和控制领域,典型应用包括:
  1. 开关模式电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
  2. DC-DC转换器中的高频开关元件。
  3. 电机驱动电路中的功率级开关。
  4. 各种负载切换和保护电路。
  5. 工业自动化设备中的功率管理模块。

替代型号

IRLZ44N
  AO3400
  FDP5802

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