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SIR422DP-T1-GE3 发布时间 时间:2023/6/7 10:56:21 查看 阅读:285

制造商:Vishay

目录

概述

制造商:Vishay

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:N-Channel

封装/箱体:PowerPAKSO-8

电阻汲极/源极RDS(导通):0.0054Ohms

汲极/源极击穿电压:40V

漏极连续电流:16.4A,20.5A,40A

功率耗散:34.7W

最大工作温度:+150℃

封装:Reel

正向跨导gFS(最大值/最小值):70S

栅极电荷Qg:16.1nC

最小工作温度:-55℃

安装风格:SMD/SMT

资料

厂商
VISHAY
Vishay Semiconductors

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SIR422DP-T1-GE3参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)40V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C40A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C6.6 毫欧 @ 20A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs48nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1785pF @ 20V
  • 功率 - 最大34.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8
  • 供应商设备封装PowerPAK? SO-8
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SIR422DP-T1-GE3-NDSIR422DP-T1-GE3TR