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SIR172ADP-T1-GE3 发布时间 时间:2025/4/29 9:06:37 查看 阅读:1

SIR172ADP-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的功率 MOSFET,采用 TO-263 (DPAK) 封装形式。这款器件专为高效能开关应用设计,适用于多种工业和消费类电子产品领域。其低导通电阻特性使得该器件在高效率、低损耗的电力转换场景中表现出色。
  该产品主要面向大电流负载应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等。

参数

最大漏源电压:60V
  连续漏极电流:58A
  导通电阻(典型值):4.5mΩ
  栅极电荷:28nC
  功耗:129W
  工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
  封装类型:TO-263 (DPAK)
  逻辑兼容性:增强型逻辑兼容

特性

SIR172ADP-T1-GE3 具有以下显著特点:
  1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提升系统效率。
  2. 高雪崩能量能力,确保了在异常条件下的可靠性。
  3. 优化的栅极电荷参数,有助于实现快速开关和降低开关损耗。
  4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合各种恶劣环境的应用。
  5. 符合 RoHS 标准,并具备无卤素特性,符合环保要求。
  6. 提供出色的热性能表现,从而提高整体系统稳定性。

应用

SIR172ADP-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
  2. DC-DC 转换器模块。
  3. 工业电机驱动和控制。
  4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代。
  5. 电池管理系统中的充放电保护电路。
  6. 各种消费类电子设备中的高效功率管理方案。

替代型号

SIR172ADP-E3, IRFZ44N, FDP180AN

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SIR172ADP-T1-GE3参数

  • 现有数量2,043现货
  • 价格1 : ¥3.90000剪切带(CT)3,000 : ¥1.38053卷带(TR)
  • 系列TrenchFET?
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)8.5 毫欧 @ 10A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.4V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)44 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1515 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)29.8W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerPAK? SO-8
  • 封装/外壳PowerPAK? SO-8