SIR172ADP-T1-GE3 是一款来自 Vishay 的功率 MOSFET,采用 TO-263 (DPAK) 封装形式。这款器件专为高效能开关应用设计,适用于多种工业和消费类电子产品领域。其低导通电阻特性使得该器件在高效率、低损耗的电力转换场景中表现出色。
该产品主要面向大电流负载应用,例如 DC-DC 转换器、电机驱动、负载开关以及电池保护等。
最大漏源电压:60V
连续漏极电流:58A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:28nC
功耗:129W
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-263 (DPAK)
逻辑兼容性:增强型逻辑兼容
SIR172ADP-T1-GE3 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),能够在高电流条件下减少功耗并提升系统效率。
2. 高雪崩能量能力,确保了在异常条件下的可靠性。
3. 优化的栅极电荷参数,有助于实现快速开关和降低开关损耗。
4. 宽泛的工作温度范围 (-55°C 至 +175°C),适合各种恶劣环境的应用。
5. 符合 RoHS 标准,并具备无卤素特性,符合环保要求。
6. 提供出色的热性能表现,从而提高整体系统稳定性。
SIR172ADP-T1-GE3 广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的同步整流电路。
2. DC-DC 转换器模块。
3. 工业电机驱动和控制。
4. 汽车电子系统中的负载开关和继电器替代。
5. 电池管理系统中的充放电保护电路。
6. 各种消费类电子设备中的高效功率管理方案。
SIR172ADP-E3, IRFZ44N, FDP180AN