P30NF10是一种N沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该器件通常用于开关和功率管理应用,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,适用于需要高效率和低损耗的场景。
该MOSFET采用TO-252封装形式,使其在紧凑的设计中具备良好的散热性能。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:30A
导通电阻:8mΩ
栅极电荷:20nC
开关时间:开启延迟时间40ns,上升时间15ns,关断延迟时间26ns,下降时间9ns
工作结温范围:-55℃至+150℃
P30NF10拥有低导通电阻特性,从而减少导通时的能量损耗。其快速的开关速度确保了高效能表现,特别是在高频应用场合。
该器件具备较高的雪崩击穿能量承受能力,增强了系统在异常情况下的可靠性。
P30NF10还支持较低的栅极驱动电压,简化了与逻辑电路的接口设计。同时,由于采用了先进的制造工艺,保证了长期工作的稳定性和一致性。
P30NF10适合多种应用场景,包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流、负载开关、电机驱动电路、电池保护以及各类电源管理模块。
此外,该MOSFET也适用于太阳能逆变器、LED驱动器等对效率要求较高的领域。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10