时间：2025/6/3 14:20:05
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P30NF10是一种N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件通常用于开关和功率管理应用，具有低导通电阻和快速开关速度的特点，适用于需要高效率和低损耗的场景。
该MOSFET采用TO-252封装形式，使其在紧凑的设计中具备良好的散热性能。它广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备等领域。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：30A
导通电阻：8mΩ
栅极电荷：20nC
开关时间：开启延迟时间40ns，上升时间15ns，关断延迟时间26ns，下降时间9ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
P30NF10拥有低导通电阻特性，从而减少导通时的能量损耗。其快速的开关速度确保了高效能表现，特别是在高频应用场合。
该器件具备较高的雪崩击穿能量承受能力，增强了系统在异常情况下的可靠性。
P30NF10还支持较低的栅极驱动电压，简化了与逻辑电路的接口设计。同时，由于采用了先进的制造工艺，保证了长期工作的稳定性和一致性。
P30NF10适合多种应用场景，包括但不限于直流-直流转换器中的同步整流、负载开关、电机驱动电路、电池保护以及各类电源管理模块。
此外，该MOSFET也适用于太阳能逆变器、LED驱动器等对效率要求较高的领域。
IRFZ44N
STP30NF10
FDP30N10
