时间:2025/11/6 17:16:54
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SG51KH是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装硅PIN二极管,专为高频和高速开关应用而设计。该器件采用SOD-523小型化封装,具有低电容、快速开关速度和高可靠性等特点,适用于现代电子设备中对空间和性能要求较高的场景。SG51KH的结构基于PIN(P型-本征-N型)半导体技术,其中间层为较宽的本征区,使其在高频下表现出优异的阻抗特性和较低的信号损耗。该二极管广泛用于射频开关、衰减器、保护电路以及数字通信系统中的信号控制功能。其封装形式便于自动化贴片生产,适合大规模制造流程。此外,SG51KH符合RoHS环保标准,并具备良好的温度稳定性和长期工作可靠性,可在-55°C至+150°C的结温范围内稳定运行,适用于工业级和汽车级应用场景。
类型:PIN二极管
极性:单向
最大重复峰值反向电压(VRRM):70 V
最大直流阻断电压(VR):70 V
最大RMS电压(VRMS):49 V
最大正向电流(IF):200 mA
峰值脉冲电流(IFSM):500 mA
最大反向漏电流(IR):5 μA
典型结电容(Cj):0.6 pF @ 4 V, 1 MHz
正向电压降(VF):1.1 V @ 10 mA
反向恢复时间(trr):4 ns
工作结温范围(Tj):-55 °C 至 +150 °C
封装/包装:SOD-523
安装类型:表面贴装(SMD)
尺寸:1.6 mm x 1.2 mm x 0.95 mm
重量:约 8 mg
SG51KH的核心优势在于其出色的高频响应能力和快速开关特性,这主要得益于其优化的PIN结构设计。该二极管在高频信号处理中表现出极低的寄生电容和稳定的阻抗特性,典型结电容仅为0.6 pF(在4V偏压下),这一数值显著低于传统整流或开关二极管,因此非常适合用于GHz级别的射频信号路径中作为开关或调制元件。
其反向恢复时间(trr)短至4纳秒,意味着在高速切换过程中能够迅速完成载流子的清除过程,从而减少开关瞬态引起的信号失真和能量损耗。这种快速响应能力使得SG51KH在数字通信系统、雷达模块和无线收发前端中成为理想的信号控制器件。
此外,SG51KH具备高达70V的最大重复反向电压和200mA的连续正向电流承载能力,在保证高性能的同时也提供了足够的电气裕量,适用于多种电源轨不稳定的复杂电路环境。其正向导通压降约为1.1V(在10mA条件下),虽略高于肖特基二极管,但由于其单向导电性和良好的反向隔离性能,更适合用于精确控制的射频路径切换。
SOD-523封装不仅体积小巧,节省PCB布局空间,而且具有优良的热传导性能和机械稳定性,支持回流焊工艺,适用于自动化贴片生产线。器件经过严格的可靠性测试,包括高温反向偏置(HTRB)、温度循环和湿度敏感度等级评估,确保在恶劣环境下仍能保持稳定性能。综合来看,SG51KH是一款兼顾高频性能、紧凑尺寸与工业可靠性的高性能PIN二极管,适用于对信号完整性要求严苛的应用领域。
SG51KH广泛应用于高频和高速开关电路中,典型使用场景包括射频开关模块,在无线通信系统如Wi-Fi、蓝牙、蜂窝网络前端实现天线切换或信号路由;在可变衰减器电路中作为电压控制元件,通过调节偏置电流改变其阻抗特性以实现信号幅度调控;同时可用于保护敏感的射频放大器输入端,防止因大信号冲击造成损坏,起到限幅器的作用。
在测试与测量设备中,SG51KH被用于构建高频信号路径的选择开关,提升仪器的多通道处理能力;在光纤通信系统中,它也可作为高速光接收机前端的保护二极管,抑制瞬态过压干扰。
此外,该器件还适用于便携式移动终端、物联网节点、卫星导航接收机等对空间和功耗敏感的产品中,提供高效可靠的信号管理解决方案。由于其良好的温度适应性和长期稳定性,SG51KH也可部署于工业自动化、汽车电子和航空航天相关的射频子系统中,满足严苛环境下的运行需求。
BAR63-04W