类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：150A（在Tc=100℃）
　　脉冲漏极电流（IDM）：480A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.95mΩ（最大值，典型值0.75mΩ）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55℃至150℃
　　封装形式：PG-HSOF-8

IR3P68具备多项高性能特性，使其在功率电子应用中表现出色。
　　首先，该器件采用了英飞凌的OptiMOS?技术，优化了导通电阻与开关损耗之间的平衡，使得在高频应用中效率更高。其极低的RDS(on)值（最大0.95mΩ）可显著降低导通损耗，提高系统能效。
　　其次，IR3P68具有较高的电流承载能力。其连续漏极电流可达150A，在脉冲模式下甚至可达480A，非常适合需要高瞬态电流的应用场景，例如电机驱动、负载开关或电源转换器。
　　此外，该MOSFET的封装形式为PG-HSOF-8，这是一种表面贴装（SMD）封装，具备良好的热管理能力，有助于将热量快速传导至PCB，从而提高器件的可靠性与稳定性。封装还支持双侧散热，有助于提升功率密度。
　　IR3P68的栅极驱动电压范围为±20V，兼容常见的栅极驱动电路设计。其工作温度范围宽广，从-55℃到150℃，适应多种环境条件下的应用需求。
　　最后，该器件具有出色的抗雪崩能力，能够在非正常工作条件下提供额外的保护，提高系统的整体可靠性。

IR3P68广泛应用于需要高效率、高电流和低导通电阻的功率电子系统中。
　　其中，最常见的应用之一是DC-DC转换器，尤其是在同步整流拓扑中，用于提升转换效率并减小体积。由于其高电流能力和低RDS(on)，该器件非常适合用于服务器电源、通信设备电源和工业电源系统。
　　另外，IR3P68也常用于电机驱动和负载开关电路中。在这些应用中，高脉冲电流能力可以有效应对负载突变带来的电流冲击，同时低导通电阻有助于降低功耗，提高系统运行效率。
　　除此之外，该器件还适用于电池管理系统（BMS）、电动工具、电动车辆（如电动车控制器）以及高功率LED照明系统等新兴应用领域。
　　对于需要多并联MOSFET设计的场合，IR3P68的一致性参数和优良的热性能也使其成为理想的选择。

IPW60R045C6, IRFP4110PbF, SiR178DP