KHB9D5N20D-RTF/P 时间：2025/9/11 18:29:17 阅读：10

KHB9D5N20D-RTF/P 是一款由Korea Electronics（KEC）生产的N沟道功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效能、低损耗的功率转换应用而设计，适用于电源管理、DC-DC转换器、马达驱动以及各类高频率开关电路。该MOSFET采用先进的平面工艺制造，具有低导通电阻（Rds(on)）和高电流容量，确保在高负载条件下仍能保持稳定性能。KHB9D5N20D-RTF/P封装形式为TO-252（DPAK），便于在各种电子设备中进行表面贴装安装。

参数

类型：N沟道
　　漏源电压(Vds)：200V
　　栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：9A @ TC=100℃
　　导通电阻(Rds(on))：0.25Ω @ Vgs=10V
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装形式：TO-252（DPAK）
　　最大功率耗散：40W
　　阈值电压(Vgs(th))：2V ~ 4V
　　输入电容(Ciss)：1200pF @ Vds=25V

特性

KHB9D5N20D-RTF/P MOSFET具备多项优异性能，首先是其低导通电阻（Rds(on)）特性，可显著降低开关损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高耐压能力，漏源电压可达200V，适合中高功率应用场景。其采用TO-252封装，散热性能良好，并且适合自动化装配流程。此外，该MOSFET具备良好的热稳定性，工作温度范围宽达-55℃至150℃，可在严苛环境下稳定运行。其栅极驱动电压范围较宽，支持4V至10V的栅极驱动，便于与多种驱动电路兼容。输入电容较小，有助于减少开关过程中的能量损耗，提高整体能效。同时，其封装形式支持表面贴装技术，便于PCB布局和自动化生产。这些特性使其在电源管理、马达控制、逆变器和DC-DC转换器等应用中表现出色。
　　在可靠性方面，KHB9D5N20D-RTF/P采用了KEC的成熟制造工艺，确保产品在长时间运行中的稳定性和一致性。其内部结构优化设计，提高了抗静电能力和耐浪涌电流能力，延长了器件的使用寿命。

应用

KHB9D5N20D-RTF/P MOSFET广泛应用于多种电子设备和系统中，包括但不限于：电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、马达驱动器、UPS不间断电源、LED照明驱动电路、工业自动化控制电路以及汽车电子系统。在电源管理模块中，该MOSFET可用于高效能开关电源设计，提升能量转换效率。在马达控制应用中，其低Rds(on)特性可有效减少热量产生，提高系统运行的稳定性。此外，该器件也适用于太阳能逆变器和电池管理系统等新兴领域的功率控制需求。