类型：MOSFET
　　晶体管类型：N沟道
　　漏极电流（ID）：2.3A
　　漏极电压（VDSS）：20V
　　导通电阻（RDS(on)）：0.085Ω @ VGS = 4.5V
　　栅极电压（VGS）：±12V
　　功率耗散（PD）：1.4W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：8-SOIC

SIR11-21C/L117/TR8采用了Vishay的TrenchFET技术，使其在同类产品中具有较低的导通电阻，从而降低了功率损耗并提高了效率。该MOSFET的栅极驱动电压范围为4.5V至12V，使其适用于多种驱动电路。此外，其8-SOIC封装提供了良好的热管理和空间利用率，非常适合用于高密度PCB设计。该器件的快速开关特性使其在高频应用中表现出色，如DC-DC转换器、负载开关和电池管理系统。SIR11-21C/L117/TR8还具有优良的耐用性和稳定性，能够在恶劣的环境条件下保持可靠的性能。
　　在电气特性方面，SIR11-21C/L117/TR8的漏极-源极击穿电压为20V，漏极电流为2.3A，确保其在中等功率应用中的适用性。该器件的低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了整体系统效率。此外，其1.4W的功率耗散能力使其在持续工作条件下也能保持较低的温度上升，延长了使用寿命。
　　在热性能方面，SIR11-21C/L117/TR8的热阻（RθJA）较低，有助于快速将热量从芯片传导到周围环境中，从而提高了热稳定性。这种特性对于需要长时间运行的应用尤其重要，如电源供应器和电机控制电路。

SIR11-21C/L117/TR8广泛应用于多种电子设备和系统中，包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机控制器和电源管理模块。它在消费类电子产品、工业自动化设备和汽车电子系统中都有广泛的应用。由于其低导通电阻和高效率，该MOSFET特别适合用于需要高效能和低功耗的场合。此外，SIR11-21C/L117/TR8的8-SOIC封装使其在空间受限的设计中具有优势，适用于便携式设备和高密度电路板。

Si2302DS, IRML2803, AO3400