LF2103NTR 时间：2025/8/5 22:26:07 阅读：22

LF2103NTR 是一款由 ON Semiconductor（安森美半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高效率电源管理系统、DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等领域。该器件采用了先进的沟槽技术，提供较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了系统效率。LF2103NTR 采用 TO-220 封装，适用于高功率应用场合。

参数

类型：N 沟道增强型 MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：30 V
　　最大漏极电流（ID）：60 A（在 Tc=25°C）
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 4.5 mΩ（在 VGS=10V）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：1V 至 2.5V（在 ID=250μA）
　　最大功耗（PD）：150 W
　　工作温度范围：-55°C 至 175°C
　　封装形式：TO-220
　　引脚数：3（漏极、源极、栅极）

特性

LF2103NTR 具有出色的导通性能和高效的功率处理能力，主要得益于其低导通电阻（RDS(on)）。在 VGS=10V 时，RDS(on) 最大仅为 4.5 mΩ，这大大降低了导通状态下的功率损耗，提高了系统整体效率。该 MOSFET 使用先进的沟槽技术制造，确保了在高电流下的稳定性和可靠性。
　　该器件的栅极阈值电压范围为 1V 至 2.5V，使其适用于多种驱动电路，包括低压逻辑控制器。这种低阈值电压设计也有助于降低开关损耗，提高能效。
　　LF2103NTR 采用 TO-220 封装，具备良好的热性能和机械稳定性，适合在高温环境下运行。其最大工作温度可达 175°C，适用于严苛工业环境和高功率密度应用。
　　此外，该 MOSFET 的高电流承载能力（最大漏极电流为 60A）使其成为高功率负载开关、DC-DC 转换器和电池管理系统等应用的理想选择。其高可靠性和稳定性也确保了在长时间运行中不易失效。

应用

LF2103NTR 适用于多种高功率电子系统，包括但不限于：
　　? DC-DC 转换器和同步整流器
　　? 负载开关和电源管理系统
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 电机驱动电路
　　? 工业自动化和控制设备
　　? 电信和服务器电源
　　? 太阳能逆变器和储能系统
　　? 电动车和电动工具的电源控制模块