时间：2025/8/1 11:23:57
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WP7A-S030VA1-R6000 是一款由 WeEn 半导体制造的功率 MOSFET 晶体管，广泛应用于需要高效率和高性能的电力电子系统中。该器件基于先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了卓越的导通和开关性能。该器件采用紧凑的表面贴装封装，适合高密度电路设计。其主要设计目标是实现低导通电阻（Rds(on)）和优化的开关损耗，以满足现代功率转换应用的需求。
类型：N沟道 MOSFET
最大漏极电流（Id）：30A
最大漏-源电压（Vds）：30V
最大栅-源电压（Vgs）：20V
导通电阻（Rds(on)）：3.0mΩ @ Vgs=10V
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装类型：LFPAK56 (Power-SO8)
功耗（Ptot）：60W
WP7A-S030VA1-R6000 的关键特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统效率。该器件的沟槽式结构和优化的硅片设计使其在高电流条件下仍能保持稳定性能。
此外，该MOSFET具有优异的热性能，得益于其封装设计能够有效散热，从而在高功率密度应用中表现出色。LFPAK56封装还具有出色的机械稳定性和可靠性，适用于汽车和工业应用。
该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体效率。同时，其快速开关特性使得该MOSFET适用于高频应用，如DC-DC转换器、电机控制和负载开关。
WP7A-S030VA1-R6000还具备良好的短路耐受能力，能够在极端条件下提供一定程度的保护，确保系统稳定性。
由于其高雪崩能量耐受能力，该器件在过载或异常工作条件下仍能保持稳定运行。
该器件广泛应用于多个领域，包括但不限于：电源管理系统、DC-DC转换器、同步整流器、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、汽车电子系统（如车载充电器、起停系统）以及工业自动化设备。此外，WP7A-S030VA1-R6000也适用于高效率的电源适配器和服务器电源系统。其紧凑的封装和优异的热性能使其成为高密度电源设计的理想选择。
SiSS130DN, IRF6723PBF, Nexperia PSMN031-30PL
