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SIM3C136-B-GM 发布时间 时间:2025/12/27 5:51:36 查看 阅读:11

SIM3C136-B-GM是一款由芯洲科技(SCT)推出的高性能、高集成度的DC-DC同步降压转换器芯片,广泛应用于需要高效电源管理的各类电子设备中。该器件采用电流模式控制架构,具备良好的动态响应能力和稳定性,适用于宽输入电压范围的应用场景。SIM3C136-B-GM集成了高压侧和低压侧功率MOSFET,能够提供高达3A的持续输出电流,同时保持较高的转换效率,有效降低系统功耗和热损耗。该芯片封装紧凑,适合空间受限的设计需求,并内置多种保护机制,如过流保护、过温保护和输出短路保护,确保系统在异常情况下仍能安全运行。其设计兼顾了性能与可靠性,适用于工业控制、消费类电子产品、网络通信设备以及便携式电源系统等多样化应用场景。

参数

型号:SIM3C136-B-GM
  输入电压范围:4.5V ~ 18V
  输出电压范围:0.8V ~ 5.5V(可调)
  最大输出电流:3A
  开关频率:500kHz
  工作温度范围:-40°C ~ +125°C
  封装类型:DFN-10(3mm x 3mm)
  静态电流:典型值35μA
  关断电流:小于1μA
  占空比范围:0% ~ 100%
  反馈参考电压:0.8V ±1%
  导通电阻(HS-FET):50mΩ
  导通电阻(LS-FET):30mΩ

特性

SIM3C136-B-GM采用先进的BCD工艺制造,具备优异的热稳定性和电气性能,能够在较宽的输入电压范围内实现高效能量转换。其内部集成的上下管同步整流结构显著提升了转换效率,尤其是在中高负载条件下表现突出,相比传统异步整流方案可减少二极管导通损耗,提升整体能效。芯片采用峰值电流模式控制,具有快速的瞬态响应能力,能够有效应对负载突变带来的电压波动,确保输出电压的稳定性。通过外部电阻分压网络可灵活设定输出电压,适应不同系统的供电需求。此外,该器件支持轻载下的脉冲跳跃模式(PSM),在低功耗状态下自动进入节能模式,大幅降低静态功耗,延长电池供电设备的续航时间。
  SIM3C136-B-GM内置完善的保护功能,包括逐周期电流限制、输出过流保护、输出短路保护以及过温关断机制。当芯片结温超过安全阈值时,热保护电路将自动关闭输出,防止器件因过热损坏,待温度回落至正常范围后自动恢复工作,提升了系统的鲁棒性。其DFN-10小型化封装不仅节省PCB布局空间,还通过底部散热焊盘有效改善热传导性能,增强散热能力。该芯片对PCB布局要求较低,外围元件数量少,简化了电源设计流程,有助于缩短产品开发周期并降低BOM成本。EMI优化设计使得其在高频开关过程中产生的电磁干扰较小,满足多数工业和消费类产品的电磁兼容性要求。

应用

SIM3C136-B-GM适用于多种需要高效、稳定直流电源的场合。在工业自动化领域,可用于PLC模块、传感器供电、电机驱动控制器等设备中的板级电源转换。在消费类电子产品中,常见于智能家居设备、路由器、机顶盒、安防摄像头等产品,为其主控芯片、存储器及外围接口提供稳定的低压电源。由于其宽输入电压范围和高效率特性,也广泛用于以锂电池或多节AA电池供电的便携式设备,如手持终端、无线音频设备和移动医疗仪器。在网络通信设备中,该芯片可作为FPGA、ASIC或微处理器的核心电源供应方案,满足多轨供电系统中对噪声敏感电路的供电需求。此外,在汽车电子辅助系统(如车载信息终端、行车记录仪)中,其耐高温特性和可靠保护机制也使其成为理想的非安全关键类电源解决方案。凭借小尺寸封装和高集成度优势,该芯片特别适合对空间和能效有严格要求的紧凑型电子产品设计。

替代型号

MP2315DJ-LF-Z

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SIM3C136-B-GM参数

  • 制造商Silicon Laboratories
  • 核心ARM Cortex M3
  • 处理器系列SIM3C1xx
  • 数据总线宽度32 bit
  • 最大时钟频率80 MHz
  • 程序存储器大小32 KB
  • 数据 RAM 大小34 KB
  • 片上 ADCYes
  • 工作电源电压1.8 V to 3.6 V
  • 工作温度范围- 40 C to + 85 C
  • 封装 / 箱体QFN-64
  • 安装风格SMD/SMT
  • 接口类型2 x I2C, I2S, 3 x SPI, 2 x USART, 2 x UART
  • 可编程输入/输出端数量67
  • 定时器数量4 x 32 bit
  • 封装Tray
  • Supply Voltage - Max3.6 V