MT18KSF1G72PDZ1G6P是一款由Micron(美光)公司生产的1GB(128M x 72位)的DRAM内存模块,属于FBDIMM(Fully Buffered DIMM)类型。该模块主要用于高性能计算、服务器和工作站等对内存带宽和容量有高要求的应用场景。该模块支持ECC(错误校正码)功能,并具备高级内存缓冲技术,以提高系统的稳定性和可靠性。
容量:1GB(128M x 72位)
类型:FBDIMM
电压:1.8V
数据传输速率:533MHz(PC2-4200)
封装:240-pin
工作温度:0°C 至 +85°C
接口类型:I2C
支持ECC:是
缓冲类型:高级内存缓冲器(AMB)
MT18KSF1G72PDZ1G6P采用FBDIMM技术,与传统的UDIMM或RDIMM不同,其通过一个缓冲器(AMB)来管理内存控制器与内存模块之间的通信,从而减少了内存通道的电气负载,使得系统可以支持更高的内存容量和更长的内存通道长度。该模块还支持ECC功能,能够检测和纠正单比特错误,同时检测多比特错误,从而提高系统的数据完整性与稳定性。FBDIMM架构还允许更灵活的内存扩展,适用于需要大容量内存和高可靠性的服务器和工作站系统。
该模块的工作电压为1.8V,适用于标准的服务器主板,并能够在广泛的温度范围内稳定运行。其240针的封装形式与FBDIMM插槽兼容,安装简便。533MHz的数据传输速率提供了良好的内存带宽,满足当时高性能计算平台的需求。此外,模块内置I2C接口,支持内存模块的热插拔和热备份功能,增强了系统的可维护性与可用性。
MT18KSF1G72PDZ1G6P适用于服务器、工作站以及高性能计算系统,特别是在需要高内存容量、可靠性和稳定性的应用场景中。例如,该模块可用于企业级服务器、数据库系统、虚拟化平台、视频渲染工作站以及其他需要大内存带宽和错误校正功能的计算密集型应用。由于FBDIMM技术的特性,该模块也适合用于长距离内存通道设计的系统中,以提升系统的可扩展性。
MT18KSF1G72PZ1G6D