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IS64LF12836A-7.5B3LA3 发布时间 时间:2025/9/2 5:48:20 查看 阅读:10

IS64LF12836A-7.5B3LA3 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.(ISSI)生产的一款高速异步静态随机存取存储器(Static RAM,SRAM)。该SRAM芯片的容量为128K x 36位,适用于需要高速数据存取的嵌入式系统、网络设备、工业控制和通信设备等领域。这款芯片采用CMOS工艺制造,提供高性能、低功耗和稳定性。封装形式为165引脚塑料TSOP(Thin Small Outline Package),适用于商业级和工业级应用。

参数

容量:128K x 36位
  电源电压:3.3V
  访问时间:7.5ns
  封装类型:165-TSOP
  工作温度范围:0°C至70°C(商业级)或-40°C至85°C(工业级)
  接口类型:并行异步接口
  最大工作频率:约133MHz(基于访问时间)
  数据保持电压:2.0V
  数据保持电流:低功耗模式下典型值为10mA
  读写操作电流:典型值为300mA(工作频率133MHz时)

特性

IS64LF12836A-7.5B3LA3 是一款高性能的异步SRAM,具有7.5ns的访问时间,适用于对响应速度要求较高的系统。该芯片的128K x 36位结构使其能够存储高达4.5MB的数据,适合需要高带宽和低延迟的应用。其3.3V电源供电设计确保了与现代逻辑电路的良好兼容性,并降低了功耗。此外,它支持低电压数据保持功能,可在系统进入待机模式时显著减少能耗。165-TSOP封装提供了良好的散热性能,适合在空间受限的设计中使用。芯片的工业级温度版本支持-40°C至85°C的工作范围,增强了其在恶劣环境下的可靠性。
  在功能方面,IS64LF12836A-7.5B3LA3 支持异步读写操作,具有独立的片选(CE)、输出使能(OE)和写使能(WE)信号,允许灵活的时序控制。该SRAM还具备自动数据保持模式,当电源下降至保持电压以下时,仍能维持数据完整性。此外,该芯片符合RoHS环保标准,适用于环保要求较高的电子产品。

应用

IS64LF12836A-7.5B3LA3 通常用于需要高速数据缓冲和临时存储的场合,如路由器、交换机、工业控制器、视频采集设备、测试仪器和嵌入式处理器系统。由于其36位宽度设计,该芯片特别适用于需要高速并行数据处理的应用,如图像处理和高速缓存。其低功耗特性也使其适用于需要节能设计的便携式设备和长时间运行的工业设备。

替代型号

IS64LF12836A-7.5B4LA3, CY7C1380C-7.5BZC, IDT71V416SA-7.5B

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IS64LF12836A-7.5B3LA3参数

  • 制造商ISSI
  • 封装Tray
  • 工厂包装数量144