时间：2025/3/31 9:26:09
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SIHP24N65E-GE3 是一款高性能的 N 沣道硅功率 MOSFET，专为高电压、高效率应用而设计。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻和优化的开关性能，适用于高频开关电源、电机驱动以及各种工业控制场合。
其额定电压为 650V，能够承受较高的反向电压，同时具备出色的热稳定性和可靠性，确保在严苛的工作环境下保持稳定的性能。
额定电压：650V
额定电流：24A
导通电阻：180mΩ
栅极电荷：45nC
输入电容：1250pF
最大工作结温：175°C
封装形式：TO-247
1. 高额定电压（650V）使其能够在高压环境中可靠运行，适用于多种工业级应用。
2. 极低的导通电阻（180mΩ），有效减少传导损耗，提升系统效率。
3. 优化的开关性能，栅极电荷仅为 45nC，从而降低开关损耗并提高工作效率。
4. 工作结温范围宽达 -55°C 至 +175°C，适应极端温度条件下的稳定运行。
5. 提供强大的雪崩能量能力，增强了器件在异常情况下的耐受性。
6. 封装形式为 TO-247，具备良好的散热性能和易于集成的特点。
1. 开关电源（SMPS）中作为主开关管或同步整流管。
2. 逆变器和变频器中用于高效电力转换。
3. 电机驱动电路中实现精确的功率控制。
4. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
5. LED 驱动电源及太阳能逆变器等新能源相关产品。
6. 电磁炉、微波炉等家电产品的功率输出级。
STP24NF65,
IRFP240,
FDP18N65C3
