时间：2025/4/28 15:30:28
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H57V1262GTR-75I 是一款基于碳化硅（SiC）技术的 MOSFET 功率晶体管。该器件适用于高频、高效和高温的应用场景，其出色的开关性能和低导通电阻使其成为电力电子系统中的理想选择。
该型号属于高压功率 MOSFET 系列，主要针对工业和汽车领域设计。其封装形式为 TO-247-3L，能够提供高可靠性与散热性能。
最大漏源电压：1200V
连续漏极电流：62A
导通电阻（典型值）：7.5mΩ
栅极电荷（Qg）：95nC
输入电容（Ciss）：2380pF
反向恢复时间（trr）：85ns
工作温度范围：-55℃ to +175℃
H57V1262GTR-75I 具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，在高电流应用中可以显著降低功耗。
2. 快速开关速度，减少开关损耗并提高效率。
3. 高耐压能力，适合高达 1200V 的应用场景。
4. 强大的热稳定性，能够在极端温度条件下运行。
5. 超低反向恢复电荷，减少开关噪声和振荡。
6. 封装采用 TO-247-3L，确保良好的散热性能与机械强度。
这些特性使得该器件非常适合用于需要高性能和高可靠性的场合，如电动汽车充电系统、光伏逆变器以及电机驱动等。
该器件广泛应用于以下领域：
1. 新能源汽车中的 DC/DC 转换器和车载充电机。
2. 工业领域的不间断电源（UPS）、太阳能逆变器和风能转换系统。
3. 高频 DC/AC 变换器及电机控制器。
4. 高效功率因数校正（PFC）电路。
H57V1262GTR-75I 的高性能使其成为上述应用的理想选择，尤其是在对效率和可靠性要求较高的环境中。
H57V1262KTR-75I
