时间：2025/6/29 3:20:06
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FQB12P20是一款N沟道增强型功率MOSFET，适用于广泛的开关和负载驱动应用。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高电流处理能力的特点，广泛用于电源管理、电机控制、电池保护以及消费类电子设备中。
最大漏源电压：20V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：12A
导通电阻（典型值）：4.5mΩ
总功耗：73W
结温范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
FQB12P20具有较低的导通电阻，能够有效降低功率损耗并提高效率。同时，其高电流承载能力和坚固的热性能使其非常适合于要求严格的应用场景。
此外，该器件具备快速开关速度，可减少开关损耗，并提供卓越的动态性能。它还具有良好的雪崩耐量和静电放电（ESD）保护能力，进一步提升了可靠性。
FQB12P20主要用于直流-直流转换器、开关模式电源（SMPS）、电机驱动电路、电池管理系统（BMS）以及其他需要高效功率切换的应用中。它可以作为高边或低边开关使用，适合消费类电子产品、工业设备及汽车电子中的各种功率控制任务。
FQD12N20
FQP12N20
IRFZ44N
