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GA0603H123MBXAT31G 发布时间 时间:2025/5/27 17:33:23 查看 阅读:7

GA0603H123MBXAT31G 是一款高性能的存储芯片,主要用于数据存储和处理。该芯片采用先进的制造工艺,具备高密度、低功耗和高速度的特点,适合应用于各种嵌入式系统、消费类电子设备以及工业控制领域。
  这款芯片集成了大容量存储单元和优化的数据管理功能,能够满足现代设备对高效数据存储和访问的需求。

参数

类型:存储芯片
  容量:64GB
  接口:SPI
  工作电压:1.8V - 3.6V
  工作温度:-40°C 至 +85°C
  封装形式:BGA
  数据传输速率:最高 200MB/s
  引脚数:24
  存储单元技术:3D NAND

特性

GA0603H123MBXAT31G 的主要特性包括:
  1. 高密度存储:采用 3D NAND 技术,提供高达 64GB 的存储容量。
  2. 超低功耗设计:在待机和工作模式下均具有极低的功耗表现,延长电池寿命。
  3. 高速数据传输:支持高达 200MB/s 的数据传输速率,确保快速读写性能。
  4. 可靠性强:经过严格测试,适用于恶劣环境下的长时间运行。
  5. 小型化封装:BGA 封装形式节省 PCB 空间,适合紧凑型设计。
  6. 广泛的工作温度范围:支持从 -40°C 到 +85°C 的工业级温度范围,适应多种应用场景。

应用

GA0603H123MBXAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 嵌入式系统:如物联网设备、智能家居控制器等。
  2. 消费类电子产品:例如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。
  3. 工业自动化:用于数据记录和存储的工业控制设备。
  4. 医疗设备:如便携式医疗仪器中的数据存储模块。
  5. 汽车电子:车载信息娱乐系统及导航设备中的存储组件。
  6. 安防监控:视频录像机和其他需要大容量存储的监控设备中。

替代型号

GA0603H123MBXAT21G, GA0603H123MBXAT41G

GA0603H123MBXAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.012 μF
  • 容差±20%
  • 电压 - 额定25V
  • 温度系数X8R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳0603(1608 公制)
  • 大小 / 尺寸0.063" 长 x 0.031" 宽(1.60mm x 0.80mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.038"(0.97mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-