型号：GA1210A221JBCAR31G
　　类型：增强型氮化镓场效应晶体管（eGaN FET）
　　工作电压：650V
　　连续漏极电流：22A
　　导通电阻：8mΩ
　　栅极电荷：75nC
　　最大结温：175°C
　　封装形式：LFPAK56D

GA1210A221JBCAR31G 的主要特性包括高耐压能力（650V）、低导通电阻（8mΩ），以及极低的开关损耗，适合要求高效能转换的应用场景。
　　它采用增强型氮化镓技术，具备比传统硅MOSFET更高的电子迁移率，从而实现更快的开关速度和更低的热耗散。
　　此外，这款器件还支持较高的工作温度范围（最高达 175°C），增强了在恶劣环境下的可靠性。
　　其 LFPAK56D 封装形式提供了出色的散热性能，并兼容标准表面贴装工艺，便于自动化生产和组装。

GA1210A221JBCAR31G 广泛应用于多种领域，如数据中心服务器电源、工业电机驱动器、新能源汽车充电设备以及太阳能逆变器等。
　　在电源管理方面，它可用于 AC-DC 转换器、DC-DC 变换器以及 LLC 谐振转换器中，提供高效的功率传输。
　　此外，由于其高频特性，也适用于射频功率放大器和无线能量传输系统中，以满足对带宽和效率的严格要求。
　　同时，在电动车车载充电器和 DC 快速充电桩中，该芯片可以大幅减少体积和重量，提升整体设计灵活性。

GAN063-650WSA
　　GAN044-650ER
　　GAN040-650WSB