SIHP12N60E-GE3 是一款由 Semikron(赛米控)生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道技术,设计用于高电压和高效率的应用场景。其封装形式为 TO-247,能够承受高达 600V 的漏源电压,同时提供低导通电阻以提高效率。
这款 MOSFET 常被用于开关电源、逆变器、电机驱动和 UPS 系统等需要高效能量转换的场合。得益于其优异的热特性和开关性能,SIHP12N60E-GE3 成为了许多工业应用的理想选择。
漏源电压(Vds):600V
连续漏极电流(Id):12A
栅极阈值电压(Vgs(th)):2.5V 至 4.5V
导通电阻(Rds(on)):180mΩ (典型值,在 Vgs=10V 时)
功耗(PD):135W (在壳温 Tc=25°C 时)
工作温度范围(Tj):-55°C 至 +150°C
封装形式:TO-247
SIHP12N60E-GE3 具有以下主要特性:
1. 高耐压能力,最大支持 600V 的漏源电压,适用于各种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻,典型值为 180mΩ,能够在高电流条件下降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度,减少开关损耗,从而进一步优化系统性能。
4. 优异的热稳定性,适合长时间高温运行。
5. 封装坚固耐用,便于散热管理。
这些特性使得该器件成为多种电力电子设备中的核心组件。
SIHP12N60E-GE3 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 工业用逆变器和变频器,用于电机控制和能量管理。
3. 不间断电源(UPS) 系统,保障关键设备的供电可靠性。
4. 太阳能逆变器,实现太阳能电池板的高效能量转换。
5. 各种类型的电机驱动器,如伺服电机和步进电机驱动电路。
由于其出色的电气性能和可靠性,SIHP12N60E-GE3 在上述应用中表现出色。
SIHP12N60E-GE1, IRFP460, STW96N60MD2