时间：2025/5/22 18:48:21
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SIHP12N60E-GE3 是一款由 Semikron（赛米控）生产的高压功率 MOSFET。该器件采用 N 沟道技术，设计用于高电压和高效率的应用场景。其封装形式为 TO-247，能够承受高达 600V 的漏源电压，同时提供低导通电阻以提高效率。
这款 MOSFET 常被用于开关电源、逆变器、电机驱动和 UPS 系统等需要高效能量转换的场合。得益于其优异的热特性和开关性能，SIHP12N60E-GE3 成为了许多工业应用的理想选择。
漏源电压(Vds)：600V
连续漏极电流(Id)：12A
栅极阈值电压(Vgs(th))：2.5V 至 4.5V
导通电阻(Rds(on))：180mΩ (典型值，在 Vgs=10V 时)
功耗(PD)：135W (在壳温 Tc=25°C 时)
工作温度范围(Tj)：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247
SIHP12N60E-GE3 具有以下主要特性：
1. 高耐压能力，最大支持 600V 的漏源电压，适用于各种高压应用场景。
2. 较低的导通电阻，典型值为 180mΩ，能够在高电流条件下降低功耗并提升系统效率。
3. 快速开关速度，减少开关损耗，从而进一步优化系统性能。
4. 优异的热稳定性，适合长时间高温运行。
5. 封装坚固耐用，便于散热管理。
这些特性使得该器件成为多种电力电子设备中的核心组件。
SIHP12N60E-GE3 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源(SMPS)，包括 AC/DC 和 DC/DC 转换器。
2. 工业用逆变器和变频器，用于电机控制和能量管理。
3. 不间断电源(UPS) 系统，保障关键设备的供电可靠性。
4. 太阳能逆变器，实现太阳能电池板的高效能量转换。
5. 各种类型的电机驱动器，如伺服电机和步进电机驱动电路。
由于其出色的电气性能和可靠性，SIHP12N60E-GE3 在上述应用中表现出色。
SIHP12N60E-GE1, IRFP460, STW96N60MD2
