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SIHG22N60E-GE3 发布时间 时间:2025/5/19 14:24:10 查看 阅读:5

SIHG22N60E-GE3 是一款由 SemiSouth 生产的增强型绝缘栅双极晶体管(IGBT),专为高频、高效率开关应用而设计。该器件采用先进的沟槽场截止技术,具有低导通损耗和开关损耗,适合用于工业电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器和其他功率转换系统。其额定电压为 600V,额定电流为 22A,能够承受较高的瞬态电压和电流冲击。

参数

额定电压:600V
  额定电流:22A
  集电极-发射极饱和电压(Vce(sat)):1.7V(典型值,@Ic=10A,Tj=25°C)
  门极阈值电压(Vge(th)):4V(典型值,@Ic=250mA,Tj=25°C)
  总功耗:220W
  最大结温:175°C
  存储温度范围:-55°C 至 175°C
  封装形式:TO-247

特性

SIHG22N60E-GE3 具有以下显著特点:
  1. 采用先进的沟槽场截止技术,降低导通电阻和开关损耗。
  2. 高速开关能力,减少开关时间和死区时间,提高整体效率。
  3. 良好的热性能,支持更高的工作温度范围。
  4. 内置反并联二极管,优化了续流性能,适用于高频应用。
  5. 出色的短路耐受能力,确保在极端条件下可靠运行。
  6. 低杂散电感封装设计,提升电磁兼容性(EMC)表现。
  7. 环保材料,符合 RoHS 标准。

应用

该 IGBT 主要应用于需要高效功率转换的场景,包括但不限于:
  1. 工业电机驱动系统。
  2. 不间断电源(UPS)。
  3. 太阳能逆变器。
  4. 电动汽车牵引逆变器。
  5. 焊接设备。
  6. 高频感应加热装置。
  7. 开关模式电源(SMPS)。

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SIHG22N60E-GE3参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 封装Reel