容量：256K x 4位
　　组织：256K地址，每个地址存储4位数据
　　电压：5V供电
　　访问时间：10ns
　　封装类型：300mil 24引脚SOJ（Small Outline J-lead）
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）或商业级（0°C至70°C）
　　刷新周期：64ms
　　数据保持电压：通常为2V或更低

KM44C256BJ-10是一种高速DRAM芯片，具有256K x 4位的存储容量，能够满足高性能计算和数据密集型应用的需求。该芯片的访问时间为10ns，这意味着它能够在非常短的时间内完成数据的读取和写入操作，从而提高了系统的整体性能。此外，KM44C256BJ-10采用300mil 24引脚SOJ封装，这种封装形式具有良好的散热性能和机械稳定性，适用于各种严苛的工作环境。芯片的工作温度范围支持工业级和商业级两种选择，使其能够适应不同应用场景的需求。为了确保数据的稳定性和可靠性，KM44C256BJ-10需要定期刷新数据，刷新周期为64ms，而数据保持电压通常为2V或更低，这有助于在低功耗模式下保持数据的完整性。

KM44C256BJ-10通常用于需要高性能存储解决方案的设备中，例如个人计算机、服务器、工业控制器、嵌入式系统、通信设备和网络设备等。在这些应用中，KM44C256BJ-10能够提供高速的数据存取能力和可靠的存储性能，满足设备对数据处理速度和存储容量的需求。此外，由于其工业级工作温度范围的支持，KM44C256BJ-10也适用于需要在严苛环境中运行的设备，如工业自动化控制系统和户外通信设备等。

KM44C256BJ-10的替代型号包括CY7C1019DV33-10ZSXI、CY7C1041CV33-10ZSXI、IS61C256AH-10