时间：2025/8/2 6:39:36
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SIHFL9110TR-GE3 是 Vishay Semiconductors 生产的一款 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），采用 TSSOP 封装，适用于高效率电源管理应用。这款晶体管具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，广泛应用于 DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动和电池管理系统中。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（VDS）：30V
栅源电压（VGS）：20V
连续漏极电流（ID）：8.3A
导通电阻（RDS(ON)）：17mΩ（典型值）
功率耗散（PD）：2.4W
工作温度范围：-55°C ~ 150°C
封装形式：TSSOP
SIHFL9110TR-GE3 具备出色的导通性能和低开关损耗，适合高频开关应用。
其低导通电阻（RDS(ON)）有助于减少导通状态下的功率损耗，提高系统效率。
该器件采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提供了更高的电流密度和更好的热管理能力。
此外，SIHFL9110TR-GE3 还具备良好的抗雪崩能力和高耐用性，适用于各种恶劣工作环境。
由于其封装尺寸小巧，适合在空间受限的设计中使用，例如便携式电子设备和嵌入式系统。
该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 4.5V 至 20V 的栅极驱动电压，兼容多种控制电路。
SIHFL9110TR-GE3 常用于同步整流、DC-DC 转换器、负载开关、电机控制、电池管理系统（BMS）、电源管理模块和工业自动化设备。
它也可用于笔记本电脑、平板电脑和智能手机等便携式设备中的电源管理电路。
在电源适配器、LED 照明驱动器和小型电机控制电路中也有广泛应用。
该器件适用于需要高效率、小尺寸和高可靠性的电源管理应用。
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